[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810097424.9 | 申請日： | 2008-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN101593792A | 公開（公告）日： | 2009-12-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李沅民;楊與勝 | 申請（專利權）人： | 福建鈞石能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 362000福建省泉*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 太陽能電池 制造 方法 | ||
1、一種薄膜太陽能電池的制造方法，包括下列步驟：
在PECVD反應室中提供玻璃基板；
采用PECVD工藝在所述玻璃基板表面沉積TCO前電極；
在所述TCO前電極表面原位沉積p-i-n硅薄膜；
在PECVD反應室中原位沉積TCO背電極。
2、如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法還包括采用PECVD工藝在PECVD反應室中原位沉積TCO復合層的步驟。
3、如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述TCO前電極和TCO背電極為氧化鋅、氧化錫或銦錫氧化物。
4、如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述TCO復合層為氧化鋅。
5、如權利要求1或3所述的方法，其特征在于：所述反應室中的氣壓為1mbar～30mbar，玻璃基板的溫度為150℃～260℃。
6、一種薄膜太陽能電池的制造方法，所述薄膜太陽能電池至少包括一個p-i-n硅薄膜光電單元，且包括TCO前電極、TCO復合層和TCO背電極，所述TCO前電極、TCO復合層和TCO背電極中至少一層采用PECVD工藝形成。
7、一種薄膜太陽能電池的制造方法，包括下列步驟：
提供玻璃基板；
在所述玻璃基板表面沉積TCO前電極；
采用PECVD工藝，在PECVD反應室中于所述TCO前電極表面沉積p-i-n硅薄膜；
在所述PECVD反應室中原位沉積TCO背電極。
8、如權利要求7所述的方法，其特征在于：所述方法還包括沉積TCO復合層的步驟。
9、如權利要求8所述的方法，其特征在于：所述TCO復合層采用PECVD工藝在所述PECVD反應室中沉積形成。
10、如權利要求7所述的方法，其特征在于：所述TCO前電極采用PECVD工藝在所述PECVD反應室中沉積形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
