[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200810097177.2
• 申請日: 2008-05-19
• 公開（公告）號: CN101308835A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 樸珍皞;柳商旭
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/532;H01L27/146;H01L21/768;H01L21/822
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種半導體器件，包括：

層間介電層，形成在半導體襯底上；

金屬互連，穿過所述層間介電層而形成；

間隔件，位于所述金屬互連的側壁處；和

擴散阻擋區，形成在所述金屬互連的上表面上。

2.依據權利要求1所述的半導體器件，其中所述金屬互連包括銅。

3.依據權利要求1所述的半導體器件，其中所述金屬互連包括阻擋金屬層和籽晶層。

4.依據權利要求1所述的半導體器件，其中所述間隔件包括金屬。

5.依據權利要求4所述的半導體器件，其中所述間隔件包括Ta或TaN。

6.依據權利要求1所述的半導體器件，其中所述間隔件設置在所述金屬互連的側壁的上部。

7.依據權利要求1所述的半導體器件，其中所述擴散阻擋區包括鈷和鎢。

8.一種半導體器件的制造方法，其包括：

在半導體襯底上形成層間介電層；

穿過所述層間介電層形成金屬互連；

在所述金屬互連的側壁處形成間隔件；和

在所述金屬互連的上表面上形成擴散阻擋區。

9.依據權利要求8所述的方法，其中形成所述金屬互連包括：

通過實施鑲嵌工藝，在所述層間介電層中形成溝槽通孔；

在所述溝槽通孔中形成阻擋金屬層和籽晶層；和

在所述籽晶層上形成銅層。

10.依據權利要求8所述的方法，其中形成所述間隔件包括：

使所述層間介電層凹進，以使所述金屬互連中的至少部分側壁露出；

在包含所述金屬互連的所述層間介電層上沉積金屬層；和

蝕刻所述金屬層，以使所述間隔件形成在所述金屬互連的側壁處。

11.依據權利要求10所述的方法，其中使所述層間介電層凹進包括實施濕蝕刻。

12.依據權利要求11所述的方法，其中實施所述濕蝕刻包括使用BOE溶液。

13.依據權利要求12所述的方法，其中所述BOE溶液包括氟。

14.依據權利要求10所述的方法，其中所述金屬層包括Ta或TaN。

15.依據權利要求10所述的方法，其中蝕刻所述金屬層包括使用含有鹵族元素的蝕刻氣體。

16.依據權利要求15所述的方法，其中所述鹵族元素為Cl、Br或F。

17.依據權利要求8所述的方法，其中形成所述擴散阻擋區包括實施無電鍍工藝。

18.依據權利要求17所述的方法，其中所述擴散阻擋區包括鈷和鎢。