[發(fā)明專利]電弧隔板和裝備有該電弧隔板的電路斷路器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810097147.1 | 申請日: | 2008-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN101312098A | 公開(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 埃里克·多梅珍;蒂里·貝克-盧卡特 | 申請(專利權(quán))人: | 施耐德電器工業(yè)公司 |
| 主分類號: | H01H9/30 | 分類號: | H01H9/30;H01H9/34;H01H9/44 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 葛青 |
| 地址: | 法國呂埃*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電弧 隔板 裝備 電路 斷路器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及開關(guān)裝置領(lǐng)域,特別涉及能使直流電被中斷的開關(guān)裝置,尤 其是包括在0.5和150安培之間的低強(qiáng)度電流。
本發(fā)明涉及一種用于電路斷路器的電弧隔板,其包括由一堆去電離板形 成的滅弧室和由第一凸緣及第二凸緣界定的電弧形成室,所述電弧隔板裝備 有至少設(shè)置在第一凸緣后的永久磁體。
本發(fā)明還涉及一種電路斷路器,其包括可分離的觸點(diǎn)和電弧隔板,以熄 滅打開所述觸點(diǎn)時(shí)形成的電弧。
背景技術(shù)
電弧隔板的電弧形成室通常在觸點(diǎn)區(qū)和滅弧室之間延伸。在觸點(diǎn)區(qū),由 于所述觸點(diǎn)的分離使得電弧形成。時(shí)常地,一個(gè)觸點(diǎn)是活動的,而另一個(gè)是 靜止的。該觸點(diǎn)區(qū)通常包括用于捕獲電弧的裝置,通常為電極或消弧角,其 有助于電弧離開觸點(diǎn)和被移動到滅弧室。電弧通常在由電絕緣材料制成的兩 個(gè)凸緣所界定的空間內(nèi)移動,在觸點(diǎn)區(qū)之間一直移動到滅弧室的去電離板。
當(dāng)大于約150安培的高強(qiáng)度交流電或直流電產(chǎn)生中斷時(shí),通過電流在連 接到觸點(diǎn)的一個(gè)導(dǎo)線內(nèi)流動產(chǎn)生的電磁力通常足以推動電弧,并快速地將其 移動到滅弧室的去電離板。
然而,當(dāng)?shù)蛷?qiáng)度直流電發(fā)生中斷時(shí),電磁力通常不足以充分地推動電弧 并將其移動到去電離板。
法國專利申請F(tuán)R2622736描述了一種電路斷路器,其裝備有電弧隔板, 該電弧隔板包括設(shè)置在電弧形成室的一個(gè)凸緣和電路斷路器殼體的相鄰壁 之間的永久磁體。該永久磁體使得低強(qiáng)度直流電的中斷形成的電弧可被推 動。
這樣的電弧隔板的一個(gè)缺點(diǎn)是永久磁體的磁場有時(shí)候不足以充分推動 電弧并移動電弧到滅弧室。而且,永久磁體產(chǎn)生的磁場可傾向于吸引電弧到 臨近該磁體的凸緣并阻止其前進(jìn)和排出到滅弧室。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是通過提出一種用于電路斷路器的電弧隔板來克服現(xiàn)有 技術(shù)的電弧隔板的缺點(diǎn),該電弧隔板包括由一堆去電離板形成的滅弧室和由 設(shè)置成距離一縱向中間面基本相等的第一凸緣和第二凸緣界定的電弧形成 室,所述電弧隔板裝備有至少部分設(shè)置在第一凸緣后的永久磁體,該電弧形 成室包括第一增強(qiáng)的感應(yīng)部、位于所述增強(qiáng)的感應(yīng)部和滅弧室之間的轉(zhuǎn)向 部。
在根據(jù)本發(fā)明的電弧隔板中:
-所述增強(qiáng)的感應(yīng)部包括永久磁體的第一部分,其在所述感應(yīng)部的縱向 中間面中產(chǎn)生磁場,使得電弧被推進(jìn),所述永久磁體的第一部分包括設(shè)置在 每個(gè)凸緣后的兩個(gè)磁化部分,
-所述轉(zhuǎn)向部包括永久磁體的第二部分,其在所述感應(yīng)部的縱向中間面 中產(chǎn)生的磁場弱于由永久磁體的第一部分產(chǎn)生的磁場,且使得電弧相對于該 縱向中間面而轉(zhuǎn)向。
第一和第二凸緣優(yōu)選地被定位成大致與縱向中間面距離相等。有利地, 永久磁體的第一部分的兩個(gè)磁化部分產(chǎn)生強(qiáng)度基本相等的磁場。有利地,永 久磁體的第一部分的兩個(gè)磁化部分設(shè)置成關(guān)于電弧形成室的縱向中間面對 稱。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,永久磁體的第二部分的至少一個(gè)部分設(shè)置在第一凸緣 后,以使得所述部分產(chǎn)生的磁場大于永久磁體的第二部分的剩余部分產(chǎn)生的 磁場。優(yōu)選地,永久磁體的整個(gè)第二部分被設(shè)置在第一凸緣后。
優(yōu)選地,去電離板包括引導(dǎo)邊緣,該引導(dǎo)邊緣設(shè)置有中心凹進(jìn)部和至少 一個(gè)朝向轉(zhuǎn)向部定向的橫向件,電弧在轉(zhuǎn)向部內(nèi)被朝向所述橫向件引導(dǎo)。有 利地,永久磁體的第二部分和去電離板的引導(dǎo)邊緣的橫向件之間的距離小于 1毫米。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,第一凸緣由陶瓷材料制造。優(yōu)選地,第二凸緣由造氣 (gas-generating)有機(jī)材料制造。
本發(fā)明還涉及一種電路斷路器,其包括可分離的觸點(diǎn)和電弧隔板,以熄 滅打開所述觸點(diǎn)時(shí)形成的電弧,所述電弧隔板如前所述。
附圖說明
其它優(yōu)點(diǎn)和特征從附圖中示出的、僅作為非限制性的例子給出的本發(fā)明 的具體實(shí)施例的說明變得更清楚。
圖1是電路斷路器電極單元的局部視圖,示出了本發(fā)明的電弧隔板。
圖2是圖1中的電路斷路器電極單元沿縱向中間面內(nèi)的縱軸A-A’的橫截 面局部視圖。
具體實(shí)施方式
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