[發明專利]光傳感器

無效

• 申請號: 200810097125.5
• 申請日: 2008-05-14
• 公開（公告）號: CN101308856A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 林正美;宮山隆;村井博之
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;H01L27/146;G01T1/20;G01T1/24
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 閆小龍;劉宗杰

1.一種光傳感器，具有矩陣狀地配置有光電二極管和薄膜晶體管的有源矩陣型的TFT陣列襯底，其特征在于，

所述薄膜晶體管具有：具有柵電極的多條柵極布線；隔著柵極絕緣膜設置在所述柵電極上的半導體層；與所述半導體層連接的源電極以及漏電極，

所述TFT陣列襯底具有：鈍化膜，設置在所述薄膜晶體管、所述源電極和所述漏電極的上部；在所述鈍化膜上開口的接觸孔；光電二極管，通過所述接觸孔與所述漏電極連接，

所述光電二極管以如下方式形成，即，比所述接觸孔的開口邊緣更靠近內側并且比所述漏電極的圖形更靠近內側，

所述光電二極管的形成區域的下層平坦。

2.如權利要求1的光傳感器，其特征在于，

還具有以通過所述接觸孔與所述漏電極連接的方式形成的下部電極，

所述光電二極管以通過所述下部電極與所述漏電極連接的方式形成。

3.如權利要求2的光傳感器，其特征在于，

所述下部電極以覆蓋所述接觸孔的開口邊緣的方式形成。

4.如權利要求2的光傳感器，其特征在于，

所述漏電極具有位于所述半導體層上的區域和形成所述光電二極管的區域之間并連接這兩個區域的連接部分，

在所述連接部分，所述下部電極覆蓋所述接觸孔的重疊量比在所述連接部分以外所述下部電極覆蓋所述接觸孔的重疊量大。

5.如權利要求2的光傳感器，其特征在于，

所述漏電極具有位于所述半導體層上的區域和形成所述光電二極管的區域之間并連接這兩個區域的連接部分，在所述連接部分以外的區域，包括所述下部電極比所述接觸孔的開口邊緣更靠近內側的部位。

6.如權利要求1的光傳感器，其特征在于，

在形成所述光電二極管的區域不存在臺階差。

7.如權利要求1的光傳感器，其特征在于，

形成所述柵電極的金屬包含將鋁或者銅作為主要成分的金屬。

8.如權利要求7的光傳感器，其特征在于，

所述將鋁作為主要成分的金屬是AlNiNd、AlNiSi、AlNiMg的任意一種。

9.如權利要求1的光傳感器，其特征在于，

在所述鈍化膜的上層形成閃爍器，

至少連接有具有低噪聲放大器和A/D轉換器的數字板、對所述薄膜晶體管進行驅動的驅動板以及讀取電荷的讀取板。

10.如權利要求9的光傳感器，其特征在于，

具有如下功能，即，利用所述閃爍器將X射線轉換為可見光，從而進行X射線攝像顯示。

11.一種光傳感器，具有矩陣狀地配置有光電二極管和薄膜晶體管的有源矩陣型的TFT陣列襯底，其特征在于，

所述薄膜晶體管具有：具有柵電極的多條柵極布線；隔著柵極絕緣膜設置在所述柵電極上的半導體層；與所述半導體層連接的源電極以及漏電極，

所述TFT陣列襯底，具有：鈍化膜，設置在所述薄膜晶體管、所述源電極和所述漏電極的上部；在所述鈍化膜上開口的接觸孔；下部電極，以通過所述接觸孔與所述漏極連接方式形成；光電二極管，以通過所述下部電極與所述漏極連接的方式形成，

所述接觸孔形成在與所述光電二極管不同的位置。

12.如權利要求11的光傳感器，其特征在于，

形成所述柵電極的金屬包括將鋁或銅作為主要成分的金屬。

13.如權利要求12的光傳感器，其特征在于，

所述將鋁作為主要成分的金屬是AlNiNd、AlNiSi、AlNiMg中的任意一種。

14.如權利要求11的光傳感器，其特征在于，

在所述鈍化膜的上層形成閃爍器，

至少連接有具有低噪聲放大器和A/D轉換器的數字板、對所述薄膜晶體管進行驅動的驅動板以及讀取電荷的讀取板。

15.如權利要求14的光傳感器，其特征在于，

具有如下功能，即，利用所述閃爍器將X射線轉換為可見光，從而進行X射線攝像顯示。