[發明專利]具有降低工藝變化敏感度的成像器光電二極管電容器結構

有效

• 申請號: 200810096766.9
• 申請日: 2004-07-30
• 公開（公告）號: CN101290945A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: B·A·麥克盧爾
• 申請（專利權）人: 微米技術有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/148;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/84;H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曾祥夌;王小衡

1.一種形成像素單元的方法，包括：

提供襯底，在所述襯底中形成光敏器件；

將電荷收集區連接到所述光敏器件；

形成相互串聯的至少兩個存儲電容器；

在所述串聯電容器和所述電荷收集區之間形成觸點，使得所述串聯電容器與所述電荷收集區串聯。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述串聯電容器之一通過以下步驟形成：

提供連接到所述觸點的第一電極；

在所述第一電極之上提供介電層；以及

在所述介電層之上提供第二電極。

3.如權利要求1所述的方法，還包括在所述電荷收集區與所述串聯電容器之間的絕緣層。

4.如權利要求3所述的方法，其中在形成在所述絕緣層中的管道中提供所述觸點。

5.如權利要求4所述的方法，其中通過蝕刻所述絕緣層來形成所述管道。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述電荷收集區是浮動擴散區。

7.如權利要求1所述的方法，還包括在所述光敏器件和所述電荷收集區之間形成轉移晶體管柵極。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述光敏器件是光電二極管。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述光敏器件是光門。

10.一種形成集成電路的方法，包括：

提供具有像素單元陣列的半導體襯底，其中所述像素單元中的至少一個通過以下步驟形成：

提供具有連接到電荷收集區的光敏器件的襯底；

在所述襯底之上提供材料層；

在所述材料層內形成管道；

在所述管道內形成觸點；

將所述觸點與相互串聯的至少兩個存儲電容器連接，使得所述串聯電容器與所述電荷收集區串聯，所述串聯電容器中的每個通過以下步驟形成：

提供第一電極，

在所述第一電極之上提供介電層，以及

在所述介電層之上提供第二電極，

將所述串聯電容器的所述第一電極之一連接到所述觸點；以及

在所述襯底內形成信號處理電路并將所述信號處理電路連接到所述像素單元陣列。