[發明專利]燒結的功率半導體基片及其制造方法

有效

• 申請號: 200810096734.9
• 申請日: 2008-05-09
• 公開（公告）號: CN101304017A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發明（設計）人: C·格布爾;H·布拉姆爾;U·赫爾曼
• 申請（專利權）人: 塞米克朗電子有限及兩合公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/15;H01L21/48;H05K1/02;H05K1/03;H05K3/00;H05K3/46
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 沈英瑩

1.用于制造功率半導體基片(10)的方法，包括下列主要的步驟：

對一面狀的絕緣的基體(12)的至少一個主面(120、122)的至少一部分表面涂覆一薄的粘附連接層(20、22、24)，該粘附連接層的至少90％由貴金屬制成；

將一由一具有至少90％的銀份量的燒結金屬和一溶劑制成的膏狀層設置在粘附連接層(20、22、24)的至少一部分表面上或整個表面上；

分別將一導電層(40、42、44)設置在配設的燒結金屬層(30、32、34)上；

對功率半導體基片(10)的至少一個導電層(40、42、44)施加壓力；

其中燒結金屬層(30、32、34)具有一在5μm與50μm之間的厚度。

2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于，面狀的基體(12)是工業陶瓷。

3.按照權利要求2所述的方法，其特征在于，所述工業陶瓷是氧化鋁或氮化鋁或氮化硅。

4.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，粘附連接層(20、22、24)具有一在0.5μm與10μm之間的厚度并且具有一指向燒結金屬層(30、32、34)那邊的貴金屬表面(240)，和/或導電層(40、42、44)是一厚度在100μm與800μm之間的銅膜并且具有一指向燒結金屬層(30、32、34)的貴金屬表面(440)。

5.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，借助于一絲網印刷方法涂覆所述膏狀層。

6.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，借助于一壓力機和兩沖模施加壓力，其中至少一個沖模構成有一個在其上設置的產生近似靜壓壓力的硅酮墊。

7.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在施加壓力時?最大的最終壓力相當于至少8MPa。

8.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在施加壓力的過程中將功率半導體基片(10)加熱到在350K與600K之間的溫度。

9.按照權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在施加壓力之前用一薄膜覆蓋功率半導體基片(10)。?