[發明專利]太陽能電池的電極形成用漿料有效
| 申請號: | 200810096425.1 | 申請日: | 2008-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN101304049A | 公開(公告)日: | 2008-11-12 |
| 發明(設計)人: | 樸贊碩;高俊;黃建鎬;金泰成 | 申請(專利權)人: | 東進世美肯株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18;H01B1/22;H01B13/00;C08L1/18;C08K3/40;C08K3/08 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 電極 形成 漿料 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池的電極形成用漿料,特別是涉及具有下述優 點的太陽能電池的電極形成用漿料以及利用了該漿料的太陽能電池的電 極形成方法:其在電極的機械強度以及與基材的密合性方面優異,并且 能夠充分達成太陽能電池所要求的背面電場(BSF,back?surface?field)效 果,能夠抑制燒制后基材的彎曲現象,可提高太陽能電池的效率,特別 是適于高溫/高速燒制、量產性優異。
背景技術
最近,太陽能電池由于其無公害、設備的簡便性、耐久性得到提高 等多種理由而迅速得到普及,為此,對于可以提高太陽能電池的效率、 量產性優異的太陽能電池的制造方法進行了各種研究。
以往的硅太陽能電池的電極是如下形成的:將含有導電性金屬粉末、 玻璃粉及有機載體的漿料印刷在硅基材上,進行干燥和燒制,由此來形 成電極。特別是,硅太陽能電池的背電極通常使用3~10μm的鋁粉。
此外,燒制包括低溫燒制(500~750℃)和高溫燒制(800~950℃),由 于降低生產費用和量產性逐漸受到重視,因此以高溫進行短時間燒制的 高溫燒制的重要性進一步增強。
但是,現有的硅太陽能電池的電極形成中所使用的背面漿料在高溫 (800~950℃)下進行短時間燒制時,具有機械強度以及與基材的密合性下 降、燒制后基材產生彎曲現象、薄薄地形成電極層時BSF發生脫落的問 題。
發明內容
為了解決上述現有技術中的問題,本發明的目的在于提供具有下述 優點的太陽能電池的電極形成用漿料和利用了該漿料的太陽能電池的電 極形成方法以及通過所述方法制造的太陽能電池的電極,所述優點為: 在電極的機械強度以及與基材的密合性方面優異,并且即使在薄薄地形 成電極層的情況下也能夠充分達成太陽能電池所要求的背面電場效果, 能夠抑制燒制后基材的彎曲現象,能夠提高太陽能電池的效率,特別是 適于高溫/高速燒制、量產性優異。
為了達成上述目的,本發明提供一種太陽能電池的電極形成用漿料, 該漿料的特征在于,其含有:a)60~75重量份的振實密度(Tap?density) 至少為1.28g/cc以上的鋁粉;b)1~5重量份的玻璃粉(glass?frit);以及c) 20~38重量份的有機載體。
優選本發明的太陽能電池的電極形成用漿料中所述鋁粉的振實密度 為1.30~3.50g/cc。
此外,本發明提供太陽能電池的電極形成方法,該方法的特征在于, 將上述太陽能電池的電極形成用漿料印刷在基材上,并進行干燥及燒制。
優選所述燒制在850~950℃進行5秒~1分鐘。
本發明還提供利用所述方法制造出的太陽能電池的電極。
本發明的太陽能電池的電極形成用漿料以及太陽能電池的電極形成 方法具有下述優點:其在電極的機械強度以及與基材的密合性方面優異, 并且即使在薄薄地形成電極層的情況下也能夠充分達成太陽能電池所要 求的背面電場(BSF)效果,能夠抑制燒制后基材的彎曲現象,能夠提高太 陽能電池的效率,特別是適于高溫/高速燒制、量產性優異。
具體實施方式
以下詳細說明本發明。
本發明的漿料的特征在于,其含有:a)60~75重量份的振實密度至 少為1.28g/cc以上的鋁粉;b)1~5重量份的玻璃粉;以及c)20~38重量 份的有機載體。
本發明的振實密度(填充密度)是如下測得的值:利用粉末試驗儀將鋁 粉填充進體積為100cc(cm3)的量瓶中,進行2000次振實后除去量瓶,然 后將樣品準確填充為100cc并測定粉末質量(g),以粉末質量(g)除以100, 所得的值即為所述振實密度。
所述a)中鋁粉的振實密度若不足1.28g/cc,則存在如下問題:不能充 分達成背面電場(BSF)效果,不能抑制燒制后基材的彎曲現象,在高溫 (800~950℃)下進行短時間燒制時的燒結性降低,太陽能電池的效率降 低。
優選本發明的太陽能電池的電極形成用漿料中所述鋁粉的振實密度 為1.30~3.50g/cc,進一步優選為1.30~2.0g/cc。所述鋁粉的振實密度在 上述范圍內時,可以提高填充系數(曲線因子)值,進一步提高太陽能電池 的效率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





