[發(fā)明專利]表面處理方法、蝕刻處理方法及電子裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810096345.6
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101276746A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 青木克明;速水直哉;服部圭;岡幸廣;金高秀海;長谷川誠
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 陳建全

與申請相關(guān)的交叉參考

本申請基于2007年3月28日遞交的日本專利申請No.2007-084433，并要求以該申請為優(yōu)先權(quán)，該日本專利申請中的全部內(nèi)容引入本申請中作為參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及表面處理方法、蝕刻處理方法和電子裝置的制造方法。

背景技術(shù)

近年來，在高集成化的半導(dǎo)體裝置等的制造中，對基板等被處理物的表面必須進(jìn)行高度清潔。為此，產(chǎn)生了完全除去堆積在被處理物的表層和溝槽側(cè)壁等上的反應(yīng)生成物(沉積物)的必要性。

作為用于除去堆積在被處理物的表層和溝槽側(cè)壁等上的反應(yīng)生成物(沉積物)的技術(shù)，已知有以RCA洗滌為代表的濕式洗滌。由于濕式洗滌能以較簡便的裝置除去反應(yīng)生成物(沉積物)，所以在半導(dǎo)體裝置等電子裝置的制造中被廣泛使用。然而，濕式洗滌存在的問題是由于使用大量的藥液，所以造成運(yùn)行成本很高，而且環(huán)境負(fù)荷也很大。

為此，提出了以HF(氟化氫)蒸氣洗滌為代表的干式洗滌、及將濕式洗滌和干式洗滌相組合的技術(shù)(參見專利文獻(xiàn)1)。

其中，蝕刻處理后的被處理物被傳送到洗滌裝置，在洗滌裝置內(nèi)進(jìn)行上述的濕式洗滌或干式洗滌，這種情況下，從蝕刻處理到洗滌處理之間的時間較長時，有可能伴隨著反應(yīng)生成物的侵蝕而產(chǎn)生腐蝕等，從而制品的合格率降低。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平5-90239號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供可以在蝕刻處理后立即從被處理物上除去反應(yīng)生成物和硬掩模等的表面處理方法、蝕刻處理方法和電子裝置的制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的一個形態(tài)，提供一種表面處理方法，其特征在于，包括下述工序：通過進(jìn)行氧氣等離子體處理來除去含氟化碳的反應(yīng)生成物的工序，該反應(yīng)生成物是通過依次對基板上具有多層膜的被處理物的各層進(jìn)行蝕刻而堆積形成的；和在除去上述反應(yīng)生成物后，使用氟化氫氣體來除去含氧化物的反應(yīng)生成物的工序。

另外，根據(jù)本發(fā)明的另一形態(tài)，提供一種蝕刻處理方法，其特征在于，包括下述工序：將具有多層膜的被處理物配置在減壓環(huán)境中的工序；向上述減壓環(huán)境中導(dǎo)入反應(yīng)氣體的工序；產(chǎn)生上述反應(yīng)氣體的等離子體并依次蝕刻上述多層膜的工序；通過進(jìn)行氧氣等離子體處理來除去通過上述蝕刻而堆積的含氟化碳的反應(yīng)生成物的工序；以及在上述蝕刻后，使用氟化氫氣體來除去含氧化物的反應(yīng)生成物的工序。

另外，根據(jù)本發(fā)明的又一形態(tài)，提供一種電子裝置的制造方法，其特征在于，其包括在基板上形成多層的膜的工序和對上述多層的膜的各層依次進(jìn)行蝕刻的工序，而且使用上述的表面處理方法。

附圖說明

圖1是用于例示本發(fā)明的實(shí)施方式的表面處理方法的流程圖。

圖2是用于例示被處理物上的反應(yīng)生成物和硬掩模的截面示意圖。

圖3是用于例示各層的蝕刻后的狀態(tài)的截面示意圖。

圖4是用于例示各層的蝕刻后的狀態(tài)的截面示意圖。

圖5是用于例示各層的蝕刻后的狀態(tài)的截面示意圖。

圖6是用于例示利用O₂氣等離子體處理來除去以CF_x為主成分的反應(yīng)生成物的情況的截面示意圖。

圖7是用于例示除去反應(yīng)生成物和硬掩模后的狀態(tài)的截面示意圖。

具體實(shí)施方式

以下參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。

圖1是用于例示本發(fā)明的實(shí)施方式的表面處理方法的流程圖。

圖2是用于例示被處理物上的反應(yīng)生成物和硬掩模的截面示意圖，表示的是半導(dǎo)體裝置的溝槽部分的示意截面。

首先，對圖2所示的被處理物上的反應(yīng)生成物和硬掩模進(jìn)行說明。

如圖2所示，被處理物W是按照從下層開始層疊硅基板1、層間絕緣膜2、多晶硅膜3、氮化膜4、作為硬掩模的氧化膜5的方式而形成。在這種具有多層膜的被處理物W上形成溝槽T時，將氧化膜5作為硬掩模，從上層開始依次進(jìn)行蝕刻。這種蝕刻處理例如可使用RIE(反應(yīng)離子蝕刻，reactive?ion?etching)法。

圖3～圖5是用于例示各層蝕刻后的狀態(tài)的截面示意圖。

將氧化膜5作為硬掩模而對氮化膜4進(jìn)行蝕刻時，可將CF₄、O₂等的混合氣體用作蝕刻氣體。此時如圖3所示，以CF_x為主成分的反應(yīng)生成物4a堆積在溝槽T的側(cè)壁上。