[發明專利]電光陶瓷、其制備的光學元件和它們的用途、以及成像光學

有效

• 申請號: 200810096262.7
• 申請日: 2008-05-08
• 公開（公告）號: CN101343173A
• 公開（公告）日: 2009-01-14
• 發明（設計）人: 烏爾里希·珀什爾特;伊馮娜·門克
• 申請（專利權）人: 肖特公開股份有限公司
• 主分類號: C04B35/01
• 分類號: C04B35/01;C04B35/462;C04B35/48;C04B35/495;C04B35/453;G02B1/02;G02B3/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 郭國清;樊衛民

1.一種多晶電光陶瓷，其中至少95wt％的單晶具有立方形焦綠石 或螢石結構，其中在厚度為2mm的樣品上所述電光陶瓷在 600nm-800nm的波長區域內的純透射高于80％，包括具有如下化學計 量的氧化物：

A_2+xB_yD_zE₇，其中

0≤x≤1且0≤y≤2且0≤z≤1.6，以及3x+4y+5z=8，且其中

A是至少一種三價陽離子，選自稀土離子，

B是至少一種四價陽離子，

D是至少一種五價陽離子，和

E是至少一種主要為二價的陰離子。

2.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中至少98wt％的單晶具有 立方形焦綠石或螢石結構。

3.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中A是至少一種選自Y、 Gd、Yb、Lu、Sc和La的三價陽離子。

4.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中B是至少一種選自Ti、 Zr、Hf、Sn和/或Ge的四價陽離子。

5.根據權利要求4所述的電光陶瓷，其中所述四價陽離子是Ti。

6.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中D是至少一種選自Nb 和/或Ta的五價陽離子。

7.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中在厚度為3mm的樣品 上所述電光陶瓷在600nm-800nm的波長區域內的純透射高于80％。

8.根據權利要求1所述的電光陶瓷，具有A₂B₂E₇或A₃DE₇的化 學計量。

9.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中E＝O_1-nS_n且n≤0.5。

10.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中陰離子E的一價陰離 子含量最高達10at％。

11.根據權利要求10所述的電光陶瓷，其中所述一價陰離子包括 選自F、Cl和Br的鹵離子。

12.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其特征在于，電光陶瓷在 600nm～800nm的波長范圍內的純透射值與在600nm處的純透射值之 差最高達10％。

13.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其特征在于，電光陶瓷在 500nm～800nm的波長區域內的純透射值與在600nm處的純透射值之 差最高達10％。

14.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中折射率大于或等于1.9， 并且其中阿貝數在10～45之間。

15.根據權利要求14所述的電光陶瓷，其中折射率在2.0～2.7之 間。

16.根據權利要求14所述的電光陶瓷，其中折射率在2.1～2.7之 間。

17.根據權利要求14所述的電光陶瓷，其中阿貝數在10～40之 間。

18.根據權利要求14所述的電光陶瓷，其中阿貝數在12～35之 間。

19.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中它可透過可見光。

20.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中它可透過紅外光。

21.根據權利要求1所述的電光陶瓷，其中它可透過可見光以及 紅外光。

22.一種折射、透射或衍射光學元件，包括如權利要求1中限定 的電光陶瓷。

23.根據權利要求22所述的光學元件，其特征在于所述光學元件 成形為透鏡。

24.一種由至少兩種不同的透明材料構成的光學成像系統，其中 至少一個透鏡被構造為根據權利要求23所述的光學元件。