[發明專利]液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 200810095824.6
• 申請日: 2005-12-26
• 公開（公告）號: CN101299123A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發明（設計）人: 鎌田豪;仲西洋平;上田一也;吉田秀史;津田英昭
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G09G3/36
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 沈昭坤

本申請是申請日為2005年12月26日、申請號為200510107382.9、發明名 稱為“液晶顯示裝置”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及使用在電視機及電子設備的顯示部的液晶顯示裝置。

背景技術

圖22A與圖22B表示MVA(Mult-domain?Vertical?Alignment；多領域垂直 排列)方式的垂直取向型液晶顯示面板的結構的一個例子。圖22A示意性表示 液晶顯示面板101的剖面結構。圖22B表示在法線方向上看見顯示畫面的MVA 方式的液晶顯示面板101的像素的結構。如圖22A及圖22B所示，液晶顯示面 板101具有形成薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor：TFT)110等的TFT基板102、 以及形成共用電極與濾色片(CF)層(未圖示)的對向基板103。兩塊基板102、103 用周邊密封材料105貼合。又，在兩塊基板102、103間密封液晶層104。TFT 基板102與對向基板103之間的空隙(單元間隙)以襯墊106維持規定的間隔。 該單元間隙有時利用突起狀襯墊取代襯墊106，維持規定的間隙。在TFT基板 102和與對向基板103的對向側的相反側的面上，分別將偏振板107配置于例 如交叉尼科耳棱鏡上。又，在TFT基板102上形成安裝液晶驅動用IC(未圖示) 的安裝用端子108。

如圖22B所示，TFT基板102具有在圖中的左右方向上延伸形成的柵極總 線112、以及在柵極總線112上隔著絕緣膜交叉，在圖中上下方向上延伸形成 的漏極總線111。在兩總線111、112的交叉位置近旁形成像素驅動用的TFT110。 柵極總線112的一部分作為TFT110的柵極電極發揮作用。TFT110的漏極電極 (D)電氣連接在漏極總線111。TFT110的源極電極(S)電氣連接在兩總線111、 112劃定的像素區域上形成的像素電極109。形成橫過像素區域，與柵極總線 112并列延伸的貯存電容總線117。貯存電容總線117上隔著絕緣膜在每個像 素上形成貯存電容電極(中間電極)116。利用貯存電容總線117、貯存電容電極 116以及在夾在其間的絕緣膜形成貯存電容Cs。

在像素電極109上形成穿出電極材料的縫隙114。在對向基板103側形成線 狀突起115。縫隙114及線狀突起115作為限制在施加電壓時液晶層104的液 晶分子(未圖示)傾倒下的方向的取向限制用構件起作用。像素區域內利用縫隙 114及線狀突起115劃分區域，使液晶分子倒向四個方向。由于液晶103倒向 四個方向，與只傾倒向一個方向的液晶顯示裝置相比，使視角的偏向平均化。 借助于此，視角特性大幅度改善。這樣的技術被稱為取向分割技術。

圖23A～圖23C示意性表示使用取向分割技術的MVA方式的液晶顯示裝置 的剖面結構。圖23A表示液晶層104不施加電壓的狀態。在圖23和23C表示 液晶層104上施加電壓的狀態。在圖23A及23B中，作為取向限制用構件的線 狀突起115形成在按次序形成共用電極118及垂直配向膜119的對向基板103 與形成像素電極109的TFT基板102的兩塊基板上。圖23C中，作為取向限制 用構件的縫隙114僅設于TFT基板102側。但也有僅在一方的基板上設線狀突 起115的情況(未圖示)。

如圖23A所示，在不施加電壓時，液晶分子120在TFT基板102的基板面 上實質上垂直取向。當在兩塊基板102、103間施加電壓時，如圖23B所示， 按照線狀突起115的形狀決定液晶分子120傾倒的方向。又如圖23C所示，在 形成縫隙114的結構中，當在兩塊基板102、103間施加電壓時，也由在液晶 層104上產生的電場的效應，決定了液晶分子120傾倒的方向。又已經知道有 在兩塊基板102、103的一方上形成線狀突起115(未圖示)，在另一方基板上 形成縫隙114的液晶顯示面板，該結構在當前的MVA方式的液晶顯示裝置中 使用得最多。

專利文獻1：日本特開平2-12號公報

專利文獻2：美國專利第4840460號說明書

專利文獻3：日本特許第3076938號公報

專利文獻4：日本特開2002-333870號公報