[發明專利]有源元件陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200810095812.3
• 申請日: 2008-04-24
• 公開（公告）號: CN101261962A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 方國龍;林祥麟;林漢涂
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種有源元件陣列基板的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一圖案化第一金屬層于該基板上，該圖案化第一金屬層包含多條柵極導線、以及與所述多條柵極導線相連接的多個柵極及多個柵極連接焊盤；

形成一第一絕緣層于該基板與該圖案化第一金屬層上；

形成一圖案化半導體層于部分該第一絕緣層上；

形成一圖案化金屬復層于該第一絕緣層與該圖案化半導體層上，該圖案化金屬復層包含多條數據導線、多個漏極、多個存儲電極以及與所述多條數據導線連接的多個源極與多個數據連接焊盤，其中所述多個源極與所述多個漏極位于所述多個柵極上方，且各所述漏極與各所述存儲電極分別具一漏極開口與一存儲電極開口，其中所述多個漏極開口與所述多個存儲電極開口均暴露出部分該圖案化半導體層；

形成一全面覆蓋的第二絕緣層；

圖案化該第二絕緣層與該第一絕緣層，以暴露所述多個漏極開口的一部分、所述多個存儲電極開口的一部分、所述多條數據導線的一部分、所述多個數據連接焊盤的一部分、所述多條柵極導線的一部分、以及所述多個柵極連接焊盤的一部分；

進行一蝕刻工藝，以選擇性移除所述多個經暴露的部分該圖案化金屬復層；以及

形成一圖案化導電層，該圖案化導電層包含分別電性連結于所述多個漏極的多個像素電極。

2.如權利要求1所述的方法，其中該圖案化半導體層形成于對應于所述多個柵極上方的該第一絕緣層上、對應于所述多個漏極下方的部分該第一絕緣層上、以及對應于所述多個存儲電極下方的部分該第一絕緣層上。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述多條數據導線與所述多個數據連接焊盤形成于該第一絕緣層上，且所述多條數據導線與所述多條柵極導線相交。

4.如權利要求1所述的方法，其中形成該圖案化半導體層與形成該圖案化金屬復層的步驟包括：

于該第一絕緣層上形成一半導體層；

圖案化該半導體層以形成該圖案化半導體層；

于該第一絕緣層與該圖案化半導體層上形成一金屬復層；以及

圖案化該金屬復層以形成該圖案化金屬復層。

5.如權利要求1所述的方法，其中形成該圖案化半導體層與形成該圖案化金屬復層的步驟包括：

于該第一絕緣層上依序形成一半導體層與一金屬復層；以及

使用半調型光掩模工藝、灰調型光掩模工藝或減弱式相轉移光掩模工藝將該半導體層與該金屬復層圖案化，以同時形成該圖案化半導體層與該圖案化金屬復層。

6.如權利要求1所述的方法，其中各該存儲電極分別連接于各該像素電極。

7.如權利要求1所述的方法，其中該圖案化金屬復層由上而下包含一第二金屬層及一第三金屬層。

8.如權利要求7所述的方法，其中該第二金屬層為一鋁層，該第三金屬層為一鈦層、一鉬層或其合金層。

9.如權利要求7所述的方法，其中該蝕刻工藝使用濕式或干式蝕刻移除所述多個經暴露的部分該第二金屬層而形成底切結構。

10.如權利要求1所述的方法，其中該圖案化第一金屬層由一上金屬層及一下金屬層所構成。

11.如權利要求10所述的方法，其中該上金屬層為一鋁層，該下金屬層為一鈦層、一鉬層或其合金層。

12.如權利要求10所述的方法，其中該蝕刻工藝使用濕式或干式蝕刻移除所述多個經暴露的部分該上金屬層而形成底切結構。

13.如權利要求1所述的方法，其中所述多個存儲電極的位置與所述多條柵極導線的位置由上而下觀之為部分重疊。

14.如權利要求1所述的方法，其中該圖案化第一金屬層還包含多條共享導線、以及與所述多條共享導線相連接的多個共享連接焊盤，且所述多個存儲電極的位置與所述多條共享導線的位置由上而下觀之為部分重疊。

15.如權利要求1所述的方法，其中該蝕刻工藝使用濕式或干式蝕刻移除所述多個經暴露的部分該第一絕緣層而形成底切結構。