[發(fā)明專(zhuān)利]液晶顯示器制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810095580.1 | 申請(qǐng)日: | 2004-10-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101261415A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吉田秀史;田坂泰俊;田代國(guó)廣;大室克文;鐮田豪;上田一也;柴崎正和 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 富士通株式會(huì)社;友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G02F1/1362 | 分類(lèi)號(hào): | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 張龍哺 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液晶顯示器 制造 方法 | ||
本申請(qǐng)為申請(qǐng)?zhí)枮?004100850939、申請(qǐng)日為2004年10月12日、發(fā)明名稱(chēng)為“液晶顯示器及其制造方法”的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及其制造方法,特別地涉及一種在透射和反射模式下均能顯示的透反射式(transflective)液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)
近來(lái),在每個(gè)像素處具有薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣液晶顯示器在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域廣泛地用作顯示器。在這樣的環(huán)境下,在反射和透射模式下均能顯示的透反射式顯示器已經(jīng)投入使用,作為用于移動(dòng)終端或筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的顯示器。
圖47A和47B表示按照非專(zhuān)利文件1中所公開(kāi)的相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的透反射式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)。圖47A表示透反射式液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu),圖47B表示沿著圖47A中X-X線(xiàn)所得的透反射式液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖47A和47B所示,像素區(qū)域劃分為透射區(qū)域T和反射區(qū)域R。在TFT基板102上的反射區(qū)域R中,絕緣體(樹(shù)脂層)130這樣形成,使得反射區(qū)域R具有透射區(qū)域T的晶元(cell)厚度一半的晶元厚度。具有不規(guī)則表面的反射電極116形成于絕緣體130上。在相對(duì)基板104上的透射區(qū)域T的中部形成有凸起132,用于調(diào)整垂直對(duì)齊型液晶106的對(duì)齊。一對(duì)1/4波板(wave?plate)120設(shè)置于構(gòu)成面板(panel)外部的TFT基板102和相對(duì)基板104的各側(cè)面上。一對(duì)偏光板122分別設(shè)置于1/4波板120外。該透反射式液晶顯示器需要用于形成和圖案化絕緣體130的步驟,以使反射區(qū)域R的晶元厚度小于透射區(qū)域T的晶元厚度。這造成液晶顯示器的制造成本由于制造步驟復(fù)雜性增大而增加的問(wèn)題。
作為解決該問(wèn)題的一種方案,具有如圖48所示結(jié)構(gòu)的透反射式液晶顯示器由申請(qǐng)人在日本專(zhuān)利申請(qǐng)(第2003-95329號(hào))中提出。如圖48所示,在圖中水平方向延伸的多條柵極總線(xiàn)150彼此基本平行地形成于液晶顯示器的TFT基板上。在圖中垂直方向上延伸的多條漏極總線(xiàn)152彼此基本平行地這樣形成,使得它們與柵極總線(xiàn)150相交,其間插置有圖中未示出的絕緣膜。TFT154形成于柵極總線(xiàn)150與漏極總線(xiàn)152之間的每個(gè)交點(diǎn)附近。柵極總線(xiàn)150和漏極總線(xiàn)152所包圍的區(qū)域構(gòu)成像素區(qū)域?;酒叫杏跂艠O總線(xiàn)150的存儲(chǔ)電容器總線(xiàn)156這樣形成,使得它們基本在像素區(qū)域中部延伸穿過(guò)像素區(qū)域。存儲(chǔ)電容器電極158形成于每個(gè)像素區(qū)域的存儲(chǔ)電容器總線(xiàn)156上。
由透明導(dǎo)電膜所構(gòu)成的像素電極形成于像素區(qū)域。像素電極具有矩形周邊,并且具有小于像素區(qū)域的多個(gè)電極單元162、形成于鄰接電極單元162之間的電極空白部分(切口)164、以及用于將由切口164所分隔的電極單元162彼此電連接的連接電極166。多個(gè)空隙(space)168形成于電極單元162的外圍,這些空隙在與柵極總線(xiàn)150或漏極總線(xiàn)152基本平行地延伸的各側(cè)緣上被挖切。用于為像素區(qū)域之外的區(qū)域遮光的黑色矩陣(BM)170形成于相對(duì)基板上。
在該結(jié)構(gòu)中,存儲(chǔ)電容器電極158用作反射體,并且圓形反射體172單獨(dú)地形成于像素區(qū)域中。反射體172由與TFT154的柵極或源極和漏極的材料相同的材料形成,并且設(shè)置為當(dāng)在垂直于基板表面的方向上觀察時(shí),它們基本重疊于電極單元162的中心。反射體172處于電漂移狀態(tài)。
在該結(jié)構(gòu)中,反射區(qū)域的晶元厚度與透射區(qū)域的晶元厚度相同。因此,反射區(qū)域的雙折射是透射區(qū)域的折射的兩倍,因?yàn)楣鈨纱未┻^(guò)同一液晶層以進(jìn)出晶元。因此出現(xiàn)問(wèn)題的是,當(dāng)同一電壓施加到透射區(qū)域和反射區(qū)域時(shí),在反射區(qū)域中顯示黃色,而在透射區(qū)域中顯示白色。抑制雙折射所采取的措施是通過(guò)降低所施加的電壓,在反射模式下的顯示期間,減少液晶分子的傾角(tilt)。
盡管如圖48所示的結(jié)構(gòu)允許制造步驟比如圖47A和47B所示結(jié)構(gòu)的制造步驟更簡(jiǎn)單,但是它需要為透射模式下的顯示和反射模式下的顯示調(diào)節(jié)所施加的電壓。出現(xiàn)的另一問(wèn)題是,當(dāng)外部強(qiáng)光在透射模式下的顯示期間進(jìn)入時(shí),反射區(qū)域所反射的光的色彩會(huì)大大不同于透射區(qū)域所透射的光的色彩。
如下是相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的描述:
專(zhuān)利文件1:日本專(zhuān)利公開(kāi)第JP-A-H11-183892號(hào);
專(zhuān)利文件2:日本專(zhuān)利公開(kāi)第JP-A-2002-341366號(hào);
專(zhuān)利文件3:日本專(zhuān)利公開(kāi)第JP-A-2001-166289號(hào);
專(zhuān)利文件4:日本專(zhuān)利第3380482號(hào);
專(zhuān)利文件5:日本專(zhuān)利公開(kāi)第JP-A-S57-155582號(hào);
專(zhuān)利文件6:日本專(zhuān)利公開(kāi)第JP-A-2001-242452號(hào);
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于富士通株式會(huì)社;友達(dá)光電股份有限公司,未經(jīng)富士通株式會(huì)社;友達(dá)光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810095580.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線(xiàn)性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線(xiàn)性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線(xiàn)性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過(guò)程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線(xiàn)程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





