[發(fā)明專利]像素結(jié)構、顯示面板、光電裝置及其修補方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810095520.X
• 申請日: 2008-04-23
• 公開（公告）號: CN101266983A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 陳照燕;林坤駿;陳宏偉;趙家鋒
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/525;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/13
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種像素結(jié)構，配置于一基板上，并與一掃描線以及一數(shù)據(jù)線電性連接，其特征在于，所述像素結(jié)構包括：

一有源元件，配置于所述基板上，所述有源元件包括一圖案化半導體層、一柵絕緣層、一柵極以及一接觸導體層，其中所述柵極與所述掃描線電性連接，所述柵絕緣層位于所述圖案化半導體層與所述柵極之間，所述圖案化半導體層具有彼此電性絕緣的一第一半導體區(qū)塊以及一第二半導體區(qū)塊，所述第一半導體區(qū)塊與所述柵極相連接，所述接觸導體層具有一與所述第一半導體區(qū)塊連接的第一接觸導體區(qū)塊以及一與所述第二半導體區(qū)塊連接的第二接觸導體區(qū)塊，所述第二半導體區(qū)塊與所述數(shù)據(jù)線電性連接；以及

一像素電極，與該第一接觸導體區(qū)塊電性連接。

2.如權利要求1所述的像素結(jié)構，有源元件包括頂柵型薄膜晶體管。

3.如權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述像素結(jié)構還包括一儲存電容器，其中所述儲存電容器包括一上電極以及一下電極，且所述下電極與所述第一接觸導體區(qū)塊電性連接。

4.如權利要求3所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述下電極的組成與所述圖案化半導體層的組成相同。

5.如權利要求3所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述上電極的組成與該柵極的組成相同。

6.如權利要求1所述的像素結(jié)構，其特征在于，所述像素結(jié)構還包括一圖案化保護層覆蓋于所述有源元件上，其中所述圖案化保護層具有一開口，且所述像素電極通過所述開口與所述第一半導體區(qū)塊電性連接。

7.一種修補方法，適于修補一種像素結(jié)構，其特征在于，所述像素結(jié)構配置于一基板，并與一掃描線以及一數(shù)據(jù)線電性連接，所述像素結(jié)構包括一有源元件與一像素電極，所述有源元件配置于所述基板上，且所述有源元件包括一圖案化半導體層、一柵絕緣層、一柵極以及一接觸導體層，其中所述柵極與所述掃描線電性連接，所述柵絕緣層位于所述圖案化半導體層與所述柵極之間，所述接觸導體層具有一連接于所述像素電極與所述圖案化半導體層之間的第一接觸導體區(qū)塊以及一連接于所述數(shù)據(jù)線與所述圖案化半導體層之間的第二接觸導體區(qū)塊，該修補方法包括：

切斷該圖案化半導體層，使所述半導體層分為一第一半導體區(qū)塊以及一第二半導體區(qū)塊，以使電性連接于所述像素電極的第一半導體區(qū)塊與電性連接于所述數(shù)據(jù)線的所述第二半導體區(qū)塊電性絕緣；以及

將所述柵極與所述第一半導體區(qū)塊連接。

8.如權利要求7所述的修補方法，其特征在于，所述切斷所述半導體層的方法包括激光切割。

9.如權利要求8所述的修補方法，其特征在于，所述激光切割包括背面激光切割及正面激光切割其中至少一者。

10.如權利要求7所述的修補方法，其特征在于，將所述柵極與所述第一半導體區(qū)塊連接的方法包括激光熔接。

11.如權利要求10所述的修補方法，其特征在于，所述激光熔接包括正面激光熔接及背面激光熔接其中至少一者。

12.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包含如權利要求1所述的像素結(jié)構。

13.一種光電裝置，其特征在于，所述光電裝置包含如權利要求12所述的顯示面板。

14.一種顯示面板的修補方法，其特征在于，所述顯示面板的修補方法包含如權利要求7所述像素結(jié)構的修補方法。

15.一種光電裝置的修補方法，其特征在于，所述光電裝置的修補方法包含如權利要求14所述顯示面板的修補方法。