[發明專利]用以更新可編程電阻存儲器的方法與裝置有效
| 申請號: | 200810095424.5 | 申請日: | 2008-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN101295539A | 公開(公告)日: | 2008-10-29 |
| 發明(設計)人: | 陳介方;陳逸舟 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C11/56 | 分類號: | G11C11/56 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 臺灣省新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用以 更新 可編程 電阻 存儲器 方法 裝置 | ||
1.一種非易失性集成電路,其特征在于,包括:
至少一非易失性存儲單元,其包括:
一可編程電阻元件其具有多個物理狀態以儲存數據;
控制電路,其是用以施加多個電氣信號至該至少一非易失性存儲單元,該多個電氣信號包括:
多個信號,其是施加至該至少一非易失性存儲單元以使該至少一非易失性存儲單元儲存數據,該多個信號包括:
一復位信號,用以致使該至少一非易失性存儲單元的該可編程電阻元件來儲存該多個物理狀態的一第一物理狀態;
一設置信號,用以致使該至少一非易失性存儲單元的該可編程電阻元件來儲存該多個物理狀態的一第二物理狀態;
多數個信號,用以施加至該至少一非易失性存儲單元以維持該至少一非易失性存儲單元的儲存數據能力,該多數個信號包括:
一加熱信號,用以致使該至少一非易失性存儲單元的該可編程電阻元件儲存該多個物理狀態的該第一物理狀態,其中施加至該可編程電阻元件的該加熱信號是以高于該復位信號的功率進行;
一冷卻信號,用以致使該至少一非易失性存儲單元的該可編程電阻元件儲存該多個物理狀態的該第二物理狀態,其中施加至該可編程電阻元件的該冷卻信號其持續時間是大于該設置信號。
2.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中該至少一非易失性存儲單元的壽命是至少為一千萬次復位與設置信號循環。
3.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中在當多個復位與設置信號循環發生或即將發生的一段時間區間以后,該控制電路施加至少一循環的該加熱與冷卻信號。
4.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中在當多個復位與設置信號循環發生或即將發生的一段時間區間以后,該控制電路施加至少一循環的該加熱與冷卻信號,
其中該時間區間是由一定時器所決定。
5.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中在當多個復位與設置信號循環發生或即將發生的一段時間區間以后,該控制電路施加至少一循環的該加熱與冷卻信號,
其中該時間區間是由計數該復位與設置信號的循環數目而決定。
6.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中在當多個復位與設置信號循環發生或即將發生的一段時間區間以后,該控制電路施加至少一循環的該加熱與冷卻信號,
其中該時間區間是由該復位與設置信號的隨機數目循環所決定。
7.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中在當多個復位與設置信號循環發生或即將發生的一段時間區間以后,該控制電路施加至少一循環的該加熱與冷卻信號,
其中該時間區間是在該至少一非易失性存儲單元無法正確地響應至該復位信號時終止。
8.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中在當多個復位與設置信號循環發生或即將發生的一段時間區間以后,該控制電路施加至少一循環的該加熱與冷卻信號,
其中該時間區間是在該至少一非易失性存儲單元無法正確地響應至該設置信號時終止。
9.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中該控制電路在一包括有該非易失性集成電路的一機構啟動時施加至少一循環的該加熱與冷卻信號。
10.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中該控制電路在施加任何一復位與設置信號之前,施加至少一循環的加熱與冷卻信號。
11.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中該加熱信號的施加使得該至少一非易失性存儲單元的該可編程電阻元件成為非晶態。
12.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中該冷卻信號的施加使得該至少一非易失性存儲單元的該可編程電阻元件成為結晶態。
13.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中該控制電路施加至少一循環的該加熱與冷卻信號,該循環包括多個加熱信號之后接著是至少一冷卻信號。
14.根據權利要求1所述的非易失性集成電路,其特征在于,其中該控制電路施加至少一循環的該加熱與冷卻信號,該循環包括至少一加熱信號之后接著是多個冷卻信號。
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