[發明專利]集成電路元件的封裝結構及其制造方法有效
| 申請號: | 200810095363.2 | 申請日: | 2008-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN101577233A | 公開(公告)日: | 2009-11-11 |
| 發明(設計)人: | 黃祿珍 | 申請(專利權)人: | 相豐科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 元件 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種集成電路元件的封裝結構及其制造方法,更具體地涉及 晶片級封裝結構及其制造方法。
背景技術
一般晶片級封裝(wafer?level?package)是將已制好多個集成電路元件的晶 片透過重布線、介電材料涂布及錫球工藝直接在晶片上完成封裝結構。這種 晶片級封裝結構僅適用于尺寸較大,輸出/輸入端較少的集成電路元件。詳言 之,由于錫球需要對應到電路板的接點,其間距規范通常不能小于0.25mm, 因此對于尺寸較小而無法提供足夠間距的集成電路元件,就無法適用于一般 錫球工藝。
已知已有利用二次封裝方式來擴充集成電路元件的可接觸面積的作法, 例如將已封裝的集成電路元件切割成粒,然后在一顆顆地移植到一塊面積較 大的載板上。接著在這塊面積較大的載板上進行第二次封裝并產生集成電路 元件的接觸延伸線進而擴大其可接觸面積。這種已知二次封裝方式工藝相當 復雜且成本也很高,所以需要一種新穎的集成電路元件封裝結構及其制法來 改善已知的上述缺點。
發明內容
有鑒于上述的需求,本發明提供一種適用于較小尺寸的集成電路元件的 晶片級封裝結構。
依據一實施例,本發明提供一種集成電路元件的封裝結構,包含:一集 成電路元件;一可延伸基板,具有一第一面及相對于該第一面的一第二面, 該第一面承載該集成電路元件,其中該可延伸基板的材料包含硅橡膠、聚亞 酰胺、聚乙烯或聚丙烯;一抗延伸層設置于該第二面上,該抗延伸層以相對 于該可延伸基板張力較強彈性較差的材料制成;及一絕緣層包覆該集成電路 元件。
本發明的一特點在于利用可延伸載板將已切割的晶片其裸芯與裸芯之 間的距離擴大之后再封裝,如此將可避免將裸芯一顆顆地移植到另一塊面積 較大載板的復雜工藝。
依據一實施例,本發明提供一種封裝集成電路元件的方法,包含提供一 晶片,該晶片具多個集成電路元件;提供一可延伸載板,具有一第一面及一 相對于該第一面的第二面,該第一面承載該晶片;切割該晶片以形成多個溝 槽,使該集成電路元件相互隔離;拉伸該可延伸載板以擴大該多個溝槽;及 形成一絕緣層以填充該多個溝槽并覆蓋該多個集成電路元件。
本發明的另一特點在于利用貼附在可延伸載板上的抗延伸層來控制可 延伸載板所延伸位置。
依據一實施例,本發明提供一種封裝集成電路元件的方法,提供一晶片, 該晶片具多個集成電路元件;提供一可延伸載板,具有一第一面及一相對于 該第一面的第二面,該第一面承載該晶片;形成多個抗延伸層于該第二面上; 切割該晶片以形成多個溝槽,使該集成電路元件相互隔離;拉伸該可延伸載 板以擴大該多個溝槽;及形成一絕緣層以填充該多個溝槽并覆蓋該多個集成 電路元件。
本發明的更一特點在于形成至少一通孔及表面導電層于封裝好的集成 電路元件上,該通孔及表面導電層可使封裝好的集成電路元件于各個不同的 面向都具有對外的接點,由此更加擴大集成電路元件對外接觸的可利用面 積。
依據更另一實施例,本發明提供一種封裝集成電路元件的方法,包含提 供一晶片,該晶片具多個集成電路元件;形成多個導電凸塊于該多個集成電 路元件上;提供一可延伸載板,該可延伸的載板具有一第一面及一相對于該 第一面的第二面,該第一面承載該晶片;形成多個抗延伸層于該第二面上; 切割該晶片以形成多個溝槽,使該集成電路元件相互隔離;拉伸該可延伸載 板以擴大每個溝槽;形成一絕緣層以填充該多個溝槽并覆蓋該多個集成電路 元件;形成穿透該絕緣層及該可延伸載板的多個通孔;及形成一表面導體層 以覆蓋該通孔的內壁,該表面導體層往外延伸以覆蓋該多個導電凸塊及該多 個抗延伸層;及去除該表面導體層的一部分以形成一第一線路以連接該多個 導電凸塊的頂表面及一第二線路以連接該多個抗延伸層的表面。
附圖說明
圖1至圖12為本發明第一實施例的制作過程的剖面圖;
圖13為本發明第一實施例所示封裝芯片的立體透視圖;
圖14為本發明第二實施例所示封裝芯片的立體透視圖;及
圖15為本發明第三實施例所示封裝芯片的立體透視圖。
附圖標記說明
100晶片
102集成電路元件
104輸出/輸入接點
110保護層
200導電凸塊
300可延伸載板
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





