[發明專利]高電壓產生器電路以及包括所述電路的閃存裝置

有效

• 申請號: 200810095362.8
• 申請日: 2008-05-04
• 公開（公告）號: CN101299346A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發明（設計）人: 金泰成
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G05F1/10;G11C16/30;G11C16/08
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;劉奕晴

1.一種高電壓產生器電路，包括：

高電壓產生器，被配置為產生高電壓；以及

控制電路，被配置為將參考電壓與相應于高電壓產生器產生的高電壓的 檢測電壓進行比較，并且基于比較結果產生用于控制高電壓產生器的控制信 號，以響應于外圍溫度的改變來改變高電壓產生器產生的高電壓，

其中，與高電壓相應的檢測電壓的增加率根據外圍溫度而改變，

其中，控制電路包括：

檢測器，響應于外圍溫度產生與高電壓相應的檢測電壓；

比較器，將檢測電壓與參考電壓進行比較以響應于比較結果產生控 制信號，

其中，檢測器包括：

第一電阻器、第二電阻器和第三電阻器，在高電壓和地電壓之間串 聯連接；以及

溫度檢測器，連接到第一電阻器和第二電阻器之間的連接節點，并 且被配置為消耗響應于外圍溫度而改變的可變電流，

其中，從第三電阻器和第二電阻器之間的連接節點輸出檢測電壓。

2.如權利要求1所述的高電壓產生器電路，其中，控制電路控制高電壓 產生器以響應于外圍溫度來改變高電壓，直到高電壓等于目標電壓。

3.如權利要求1所述的高電壓產生器電路，其中，溫度檢測器被配置為 與外圍溫度的增加成比例地增加電流消耗。

4.如權利要求3所述的高電壓產生器電路，其中，檢測電壓隨著電流消 耗的增加而減小。

5.如權利要求3所述的高電壓產生器電路，其中，檢測電壓的增加率與 外圍溫度成反比。

6.一種閃存裝置，包括：

源線，與存儲單元連接；

高電壓產生器電路，被配置為產生響應于外圍溫度的改變而變化的高電 壓；以及

源線解碼器電路，被配置為響應于操作模式信號和地址信號來選擇源線 中的一個，并且以高電壓驅動選擇的源線，

其中，高電壓產生器電路包括：

高電壓產生器，被配置為產生高電壓；

控制電路，被配置將參考電壓與相應于高電壓產生器產生的高電壓的檢 測電壓進行比較并且基于比較結果產生用于控制高電壓產生器的控制信號，

其中，與高電壓相應的檢測電壓的增加率根據外圍溫度而改變，

其中，控制電路包括：

檢測器，響應于外圍溫度產生與高電壓相應的檢測電壓；以及

比較器，將檢測電壓與參考電壓進行比較以響應于比較結果產生控 制信號，

其中，檢測器包括：

第一電阻器、第二電阻器和第三電阻器，在高電壓和地電壓之間串 聯連接；以及

溫度檢測器，連接到第一電阻器和第二電阻器之間的連接節點，并 且被配置為消耗響應于外圍溫度而改變的可變電流，

其中，從第三電阻器和第二電阻器之間的連接節點輸出檢測電壓。

7.如權利要求6所述的閃存裝置，其中，每個存儲單元具有分裂柵結構。

8.如權利要求6所述的閃存裝置，其中，高電壓產生器電路與外圍溫度 的增加成比例地增加高電壓。

9.如權利要求6所述的閃存裝置，其中，溫度檢測器被配置為與外圍溫 度的增加成比例地增加電流消耗。

10.如權利要求7所述的閃存裝置，其中，檢測電壓隨著電流消耗的增 加而減小。

11.如權利要求6所述的閃存裝置，其中，檢測電壓的增加率與外圍溫 度成反比。