[發明專利]半導體器件和半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 200810095289.4
• 申請日: 2008-05-09
• 公開（公告）號: CN101304028A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發明（設計）人: 館下八州志
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/762;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體器件，包括：

元件隔離區域，以埋入半導體基板中的狀態形成，使得所述半導體基板 的元件形成區域夾置在該元件隔離區域之間；

柵極電極，形成在所述元件形成區域上，且柵極絕緣膜設置在所述柵極 電極和所述元件形成區域之間，所述柵極電極形成為跨過所述元件形成區 域；以及

源-漏區域，形成在所述柵極電極兩側的所述元件形成區域中，

其中凹陷形成于所述元件隔離區域的上部中，位于所述柵極電極下方， 由所述柵極電極下面的所述元件形成區域制成的溝道區域形成為從所述元 件隔離區域突出，使得所述柵極電極下方的元件隔離區域的表面低于所述溝 道區域的表面以及所述元件隔離區域的其他表面，并且

所述源-漏區域形成到比所述元件隔離區域的表面深的位置，

所述源-漏區域由給所述溝道區域施加應力的應力施加層形成。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述源-漏區域的表面在高度上等于所述半導體基板的表面的位置 和高于所述半導體基板的表面的位置之一。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中形成覆蓋所述柵極電極并給所述溝道區域施加應力的應力施加絕 緣膜。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述溝道區域從在所述凹陷的底部的元件隔離區域的表面的突出 量為3nm至30nm。

5.一種半導體器件制造方法，包括步驟：

在半導體基板中形成元件隔離區域，使得元件形成區域夾置在所述元件 隔離區域之間，并且所述元件隔離區域埋入所述半導體基板中；

在所述元件形成區域上形成虛設柵極，使得所述虛設柵極跨過所述元件 形成區域；

在所述虛設柵極的兩側的所述元件形成區域中形成源-漏區域，使得所 述源-漏區域的結位置比所述元件隔離區域的表面深；

在所述半導體基板上形成第一絕緣膜并暴露所述虛設柵極的表面；

通過去除所述虛設柵極來形成凹槽；

去除所述凹槽內的所述元件隔離區域的頂表面；以及

在所述凹槽內的所述半導體基板上形成柵極電極，且柵極絕緣膜夾置在 所述柵極電極和所述半導體基板之間。

6.根據權利要求5所述的半導體器件制造方法，

其中所述源-漏區域由給所述溝道區域施加應力的應力施加層形成。

7.根據權利要求5所述的半導體器件制造方法，還包括步驟：

在形成所述柵極電極后去除所述第一絕緣膜；以及

在所述半導體基板上形成覆蓋所述柵極電極并且給所述溝道區域施加 應力的應力施加絕緣膜。