[發明專利]發光元件

無效

• 申請號: 200810095239.6
• 申請日: 2008-05-05
• 公開（公告）號: CN101304065A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發明（設計）人: 秋元克彌
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 鐘晶

1.一種發光元件，其為在基板上具有含有發光層的化合物半導體層的發光元件，其特征在于，所述發光元件在作為所述化合物半導體層的光取出面的主表面上具備介電率變化結構，所述介電率變化結構為，對于介電率不同的兩種以上的物質以二維點陣狀周期性地交互排列在所述主表面內的光子晶體結構，隨機變動所述介電率的二維點陣狀的周期性，從而得到非旋轉對稱性的介電率分布。

2.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述介電率變化結構具有根據所述非旋轉對稱性的配置而在所述主表面形成的凹凸形狀。

3.根據權利要求1或2所述的發光元件，其特征在于，所述發光層含有至少1層以上的Al_xGa_yIn_1-x-yP層，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

4.根據權利要求1或2所述的發光元件，其特征在于，所述基板由GaAs構成。

5.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述介電率變化結構具有在所述主表面上形成的孔。

6.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，所述孔至少為圓柱、圓錐、棱柱、棱錐之一的形狀。

7.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，所述孔由樹脂填充。