[發(fā)明專利]像素結構及其修補方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810095210.8
• 申請日: 2008-04-18
• 公開（公告）號: CN101562186A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發(fā)明（設計）人: 陳建銘;張原豪
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/13;G02F1/1362
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳 亮

1.一種像素結構，適于配置于一基板上，該像素結構包括：

一掃描線；

一柵極，與該掃描線配置于該基板上，且該柵極與該掃描線電性連接；

一共用配線，具有至少一第一開口，且該共用配線配置于該基板上；

一第一介電層，覆蓋該掃描線、該柵極與該共用配線；

一溝道層，配置于該柵極上方的該第一介電層上；

一源極與一漏極，配置在該溝道層上；

一數(shù)據(jù)線，配置于該第一介電層上，且該數(shù)據(jù)線與該源極電性連接；

一電容耦合電極，配置于該共用配線上方的該第一介電層上，且該電容耦 合電極與該漏極電性連接，其中該共用配線的第一開口至少部分位于該數(shù)據(jù)線 與該電容耦合電極之間，且該第一開口被該第一介電層覆蓋；

一第二介電層，覆蓋該源極、該漏極、該數(shù)據(jù)線與該電容耦合電極，該第 二介電層具有一接觸窗開口，以暴露出部分的該電容耦合電極，其中該第一開 口未與該接觸窗開口重迭，且該第一開口是位于該接觸窗開口與該數(shù)據(jù)線之 間；以及

一像素電極，配置于該第二介電層上，且該像素電極通過該接觸窗開口而 與該電容耦合電極電性連接。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該共用配線還包括一第二 開口，至少部分位于該電容耦合電極與相鄰的另一數(shù)據(jù)線之間。

3.一種修補方法，適于對權利要求1的像素結構進行修補，當該數(shù)據(jù)線與 該電容耦合電極連接時，該修補方法包括：

通過該第一開口，切割該數(shù)據(jù)線與該電容耦合電極的連接處。

4.如權利要求3所述的修補方法，其特征在于，切割該數(shù)據(jù)線與該電容耦 合電極的方法包括激光切割。

5.如權利要求3所述的修補方法，其特征在于，該共用配線還包括一第二 開口，至少部分位于該電容耦合電極與相鄰的另一數(shù)據(jù)線之間，且當相鄰的另 一數(shù)據(jù)線與該電容耦合電極連接時，還包括通過該第二開口，切割相鄰的該數(shù) 據(jù)線與該電容耦合電極的連接處。

6.如權利要求5所述的修補方法，其特征在于，切割該數(shù)據(jù)線與該電容耦 合電極的方法包括激光切割。