[發明專利]包括中空波導和MEMS反射元件的光路由裝置無效
| 申請號: | 200810095203.8 | 申請日: | 2004-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN101334503A | 公開(公告)日: | 2008-12-31 |
| 發明(設計)人: | R·M·詹金斯;M·E·麥克尼;D·J·庫姆斯;J·麥奎蘭 | 申請(專利權)人: | 秦內蒂克有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/122 | 分類號: | G02B6/122;G02B6/35 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張志醒 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 英國;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 中空 波導 mems 反射 元件 路由 裝置 | ||
1.一種包括半導體襯底的平面內光路由裝置,所述半導體襯底具有 至少一個光輸入、多個光輸出和微機電系統(MEMS)可移動反射元件陣 列,所述可移動反射元件陣列可配置成把光選擇性的從任一光輸入路由 至所述多個光輸出中的兩個或多個的任一個,其特征在于,從任一光輸 入選擇性地路由至所述多個光輸出中的兩個或多個的任一個的光在空 心波導中被引導。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中所述半導體襯底包括硅。
3.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述半導體襯底包 括基于絕緣體上的硅(SOI)的晶片。
4.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述空心波導采用 微制造技術形成在所述半導體襯底上。
5.根據權利要求4所述的裝置,其中所述微制造技術包括深反應 離子刻蝕。
6.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述半導體襯底包 括底部分和蓋部分,所述底部分和蓋部分被布置成限定所述空心波導。
7.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述MEMS可移動反 射元件包括反射涂層。
8.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述空心波導的內 表面包括反射涂層。
9.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中至少一個MEMS可移 動反射元件為彈出式反射鏡。
10.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中至少一個MEMS可 移動反射元件由半導體襯底整體形成。
11.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中至少一個MEMS可 移動反射元件為附著在半導體襯底上的混合電路。
12.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中至少一個MEMS可 移動反射元件可在全插入位置和全縮回位置之間移動,在所述全插入 位置所述至少一個MEMS可移動反射元件伸出進入空心波導中。
13.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述MEMS可移動 反射元件以規則陣列布置。
14.根據權利要求13所述的裝置,其中所述陣列包括16個或更多 MEMS可移動反射元件。
15.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述多個光輸出包 括至少一個直穿輸出和至少一個交叉輸出。
16.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述光輸入和/或 所述光輸出的至少一個包括用于接受光纖的裝置。
17.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述空心波導具有 基本矩形的橫截面。
18.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述空心波導以所 需尺寸形成以支持基模傳播。
19.根據權利要求1-17中任一項所述的裝置,其中述空心波導以 所需尺寸形成以支持多模傳播。
20.根據權利要求19所述的裝置,其中相鄰的可移動反射元件以 所述空心波導的重新成像長度間隔開。
21.根據前述任一項權利要求所述的裝置,其中所述光輸入和/或 所述光輸出的至少一個包括平面反射器元件的輸出。
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