[發明專利]對光刻膠具有高選擇比的無鹵素無定形碳掩膜蝕刻方法

無效

• 申請號: 200810095192.3
• 申請日: 2008-03-20
• 公開（公告）號: CN101320224A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: 金鐘穆;王竹戌;阿杰·M·喬希;景寶·劉;布賴恩·Y·浦
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: G03F7/36
• 分類號: G03F7/36;G03F7/075
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 趙飛

1.一種在多層掩膜中蝕刻特征的方法，包括：

提供具有包括圖案化光刻膠層和無定形碳層的多層掩膜的襯底；

使用包含O₂、N₂和CO的等離子體蝕刻無定形碳層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中對于200mm襯底的規格，包含O₂、N₂和CO的等離子體由低于75W的源功率和至少為150W的偏置功率激勵。

3.根據權利要求1所述的方法，其中O₂∶N₂∶CO的氣體比在1∶1∶1至1∶1∶3之間。

4.根據權利要求1所述的方法，其中O₂流量在15至50sccm之間。

5.根據權利要求1所述的方法，其中無定形碳層是Advance?PatterningFilm^TM。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在蝕刻無定形碳層之前使用包含O₂的等離子體預處理形成層以氧化包含在圖案化光刻膠層中的硅。

7.根據權利要求6所述的方法，其中對于200mm襯底的規格，等離子體由低于150W的偏置功率激勵。

8.根據權利要求7所述的方法，其中按照200mm襯底的規格，等離子體由在200W到400W之間的源功率激勵。

9.根據權利要求8所述的方法，其中圖案化光刻膠層被預處理5到25秒。

10.一種在多層掩膜中蝕刻特征的方法，包括：

提供具有包括在無定形碳層之上由有機抗反射涂層分隔的圖案化光刻膠層的多層掩膜的襯底，其中圖案化光刻膠層包含硅；

使用第一偏置功率和第一源功率激勵包含O₂的等離子體預處理圖案化光刻膠層以氧化圖案化光刻膠層中的硅；

使用第二偏置功率和第二源功率激勵包含O₂、N₂和CO的等離子體蝕刻無定形碳層，其中第二源功率低于第一源功率。

11.根據權利要求10所述的方法還包括：

在預處理圖案化光刻膠層過程中，刻穿有機抗反射涂層。

12.根據權利要求10所述的方法，其中對于200mm襯底的規格，第一偏置功率低于150W而第一源功率在200W到400W之間。

13.根據權利要求10所述的方法，其中對于200mm襯底的規格，第二偏置功率至少為200W。

14.根據權利要求10所述的方法，其中第一源功率大于第二源功率。

15.根據權利要求14所述的方法，其中第二源功率為0W。

16.根據權利要求10所述的方法，還包括：

使用包含鹵素的等離子體蝕刻電介質薄膜；且

使用第三偏置功率和第三源功率激勵包含O₂的等離子體灰化多層掩膜的大部分。

17.根據權利要求16所述的方法，其中對于200mm襯底的規格，第三偏置功率低于150W而第三源功率至少為300W。

18.一種其上存儲有一套機器可執行指令的計算機可讀媒介，當通過數據處理系統執行時，使系統執行的方法包括：

提供具有包含無定形碳層上的圖案化光刻膠層的多層掩膜的襯底；并且

使用包含O₂、N₂和CO的等離子體蝕刻無定形碳層。

19.根據權利要求18所述的計算機可讀媒介，其中使用0W的源功率蝕刻無定形碳層。

20.根據權利要求18所述的計算機可讀媒介，包含一套機器可執行指令，當通過數據處理系統執行時，使系統執行的方法還包括：

在蝕刻無定形碳層之前使用包含O₂的等離子體預處理圖案化光刻膠層以氧化包含在圖案化光刻膠層中的硅。