[發(fā)明專利]氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810095054.5
• 申請(qǐng)日: 2006-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN101271952A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高健維;吳邦元;閔垘基;樸亨鎮(zhèn);黃碩珉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 章社杲;吳貴明

1.一種GaN基半導(dǎo)體LED，包括：

藍(lán)寶石襯底，具有形成在其下部的至少一個(gè)凹槽；

反射層，形成在所述藍(lán)寶石襯底的底面上，以填充所述凹槽，所述反射層具有高于所述藍(lán)寶石襯底的反射率；

n型氮化物半導(dǎo)體層，形成在所述藍(lán)寶石襯底上；

活性層和p型氮化物半導(dǎo)體層，順序形成在所述n型氮化物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分上；以及

p電極和n電極，分別形成在所述p型氮化物半導(dǎo)體層和所述n型氮化物半導(dǎo)體層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基半導(dǎo)體LED，

其中，所述反射層由從Ag、Al、Rh、Au、Cr、和Pt組成的組中所選擇的至少一種材料形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基半導(dǎo)體LED，

其中，所述反射層利用從電子束沉積、濺射、熱沉積、化學(xué)氣相沉積、印刷、旋轉(zhuǎn)涂覆組成的組中所選擇的至少一種工藝形成。

4.一種制造GaN基半導(dǎo)體LED的方法，包括：

在藍(lán)寶石襯底上形成n型氮化物半導(dǎo)體層、活性層、p型氮化物半導(dǎo)體層；

對(duì)所述p型氮化物半導(dǎo)體層、所述活性層、和所述n型氮化物半導(dǎo)體層部分地進(jìn)行臺(tái)面蝕刻，以露出所述n型氮化物半導(dǎo)體層的一部分；

在所述p型氮化物半導(dǎo)體層和所述n型氮化物半導(dǎo)體層上分別形成p電極和n電極；

在所述藍(lán)寶石襯底的下部形成至少一個(gè)凹槽；以及在所述藍(lán)寶石襯底的底面上形成反射層，以填充所述凹槽，所述反射層具有高于所述藍(lán)寶石襯底的反射率。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，

其中，所述反射層由從Ag、Al、Rh、Au、Cr、和Pt組成的組中所選擇的至少一種材料形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，

其中，所述反射層利用從電子束沉積、濺射、熱沉積、化學(xué)氣相沉積、印刷、和旋轉(zhuǎn)涂覆組成的組中所選擇的至少一種工藝形成。