[發(fā)明專利]清洗裝置、光刻設(shè)備和光刻設(shè)備清洗方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810094978.3
• 申請日: 2008-04-30
• 公開（公告）號: CN101299133A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安東尼爾斯·馬丁內(nèi)斯·考萊利斯·派特斯·德瓊;馬克·凱爾特·斯坦溫哥;布克·詹森;雷蒙德·杰拉爾德·瑪麗烏斯·比爾恩;克耐利斯·提杰門·霍爾柯德;漢斯·詹森;彼德·弗朗西斯克斯·沃頓;約翰內(nèi)斯·威爾河姆斯·杰克布斯·萊昂納德斯·崔杰布斯
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;B08B3/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王波波

相關(guān)引用

本申請要求于2007年5月4日遞交的、發(fā)明名稱為“(光刻設(shè)備和光刻 設(shè)備清洗方法)Lithographic?Apparatus?and?Lithographic?Apparatus?Cleaning Method”的、美國臨時專利申請No.60/924,244的優(yōu)先權(quán)。所述申請在此以 引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于光刻設(shè)備以及一種用于清洗光刻設(shè)備的方法。

背景技術(shù)

光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上(通常到所述襯底的目標部 分上)的機器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在 這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版(reticle)的圖案形成裝置 用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底 (例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管 芯)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏 感材料(抗蝕劑)層上。通常，單獨的襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目 標部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括：所謂步進機，在所述步進機中，通 過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所 謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃 描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行地掃描所述襯底來輻射每一 個目標部分。還可以通過將所述圖案壓印(imprinting)到所述襯底上， 將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到所述襯底上。

已經(jīng)提出了這樣的方案，將所述襯底浸入光刻投影設(shè)備中具有相對較 高折射率的液體中(例如，水)，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和所述襯 底之間的空隙。由于曝光輻射在液體中會有更短的波長，因而這能夠?qū)崿F(xiàn) 更小特征的成像。(液體的作用也可以看作增加了系統(tǒng)的有效的數(shù)值孔徑 (NA)，或者也可以看作增加了焦深。)已經(jīng)提出了其他的浸沒液體，包括 其中懸浮固體顆粒(例如，石英)的水。

然而，將襯底或襯底及襯底臺浸沒在液體熔池中(例如，見美國專利 No.4,509,852)，意味著在掃描曝光過程中，必須要使液體的龐大的本體 加速。這需要附加的或更有力的電機，并且液體中的湍流可能導(dǎo)致不期望 的和無法預(yù)見的后果。

所提出的解決方案中的一個是液體供給系統(tǒng)采用液體封閉系統(tǒng)僅將 液體提供到襯底的局部區(qū)域和在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的區(qū)段 (通常襯底具有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表面積)。一種已經(jīng)被提出 的、為此配置的方法在專利申請公開號為WO99/49504的PCT的專利申請 中公開。如圖2和3所示，通過至少一個進口IN將液體優(yōu)選沿著襯底相 對于最終元件的運動方向提供到襯底上，并且由至少一個出口OUT在液體 已經(jīng)在投影系統(tǒng)下方通過后去除液體。也就是，當襯底在元件下方沿-X 方向掃描時，液體在元件的+X側(cè)供給并在-X側(cè)吸收。圖2示意性示出經(jīng) 由進口IN供給液體、由連接到低壓源的出口OUT在所述元件的另一側(cè)吸 收液體的配置。在圖2中，沿著襯底相對于最終元件的運動方向供給液體， 但是并非一定如此。可以在最終元件周圍布置各種方向和數(shù)量的進口和出 口，在如圖3所示的一個例子中，在最終元件周圍的規(guī)則圖案上，每側(cè)上 設(shè)置有一個進口和一個出口，共四個口。

圖4中示出又一個具有局部液體供給系統(tǒng)的浸沒式光刻解決方案。液 體由投影系統(tǒng)PL每一側(cè)上的兩個溝槽進口IN供給，由沿徑向向外配置在進 口IN外部的多個分立的出口OUT去除。所述進口IN和出口OUT能夠配置在中 心開孔的板上，并且投影束通過該孔投影。液體由投影系統(tǒng)PL的一側(cè)上的 一個溝槽進口IN供給，由在投影系統(tǒng)PL的另一側(cè)上的多個分立的出口OUT 去除，造成在投影系統(tǒng)PL和襯底W之間的液體薄膜的流動。進口IN和出口 OUT的組合使用的選擇可依賴于襯底W的運動方向(進口IN和出口OUT的其 他組合不被激活)。

在歐洲專利申請公開號為EP1420300的歐洲專利申請和美國專利申 請公開號為US2004-0136494的美國專利申請中，(每個專利申請文件都 以引用的方式整體并入本文中)，公開了一對或兩個臺的浸沒式光刻設(shè)備 的方案。這種設(shè)備設(shè)置有兩個用于支撐襯底的臺。在無浸沒液的臺的第一 位置，進行調(diào)平測量，而在存在浸沒液的臺的第二位置進行曝光。可替代 的方案是，所述裝置僅有一個臺。