[發明專利]具有圖案式表面的Ⅲ族元素氮化物層

有效

• 申請號: 200810094959.0
• 申請日: 2004-03-25
• 公開（公告）號: CN101261936A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 阿里夫·喬杜里;黃福明;理查特·埃利奧特·斯拉歇爾
• 申請（專利權）人: 朗迅科技公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L33/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 林振波

1.一種方法，包括：

提供具有平表面的底襯；

在該底襯的平表面上形成III族元素氮化物的晶體層；

用堿的水溶液處理該晶體層以刻蝕該晶體層，以便多個角錐體從該晶體層的第一側向區域的N極性表面形成，但不形成在該晶體層的不相交的第二側向區域中，該第二側向區域位于第一側向區域之間。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述用堿的水溶液對晶體層的處理并不刻蝕晶體層表面具有金屬極性的一部分。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述III族元素氮化物包括鎵。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成晶體層的步驟包括外延生長該晶體層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述角錐體在空間上重疊。

6.一種裝置，包括：

具有頂表面的III族元素氮化物層，該頂表面具有多個III族元素氮化物角錐形結構；以及

金屬電極，其直接設置于III族元素氮化物層的平表面上，位于晶體層具有所述角錐形結構的部分之間。

7.如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述電極在空間上與所述頂表面上的角錐形結構分隔。

8.如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述角錐形結構在空間上重疊。

9.如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述角錐形結構具有隨機分布。

10.如權利要求6所述的裝置，其特征在于，還包括面對所述頂表面的熒光屏。