[發(fā)明專(zhuān)利]沉積設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810094819.3 | 申請(qǐng)日: | 2008-04-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101294271A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西塔明;植竹猶基 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 索尼株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/24 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/24;H05B33/10 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總體上涉及用于在基板上形成薄膜的沉積設(shè)備,特別是提供有線型蒸發(fā)源的沉積設(shè)備。
背景技術(shù)
在平面顯示裝置中,近些年采用有機(jī)電致發(fā)光元件(有機(jī)EL元件:EL代表電致發(fā)光)的顯示裝置已經(jīng)引起人們的關(guān)注。采用有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示裝置(在下文,也稱(chēng)為“有機(jī)EL顯示器”)的優(yōu)點(diǎn)是例如寬視角和低功耗等,這是因?yàn)樗鼈兪前l(fā)光顯示器,即它們不需要背光。
有機(jī)EL顯示器中采用的有機(jī)電致發(fā)光元件通常構(gòu)造成在上電極和下電極(陽(yáng)極和陰極)之間設(shè)置由有機(jī)材料制造的有機(jī)層。正電壓和負(fù)電壓分別施加給陽(yáng)極和陰極,以分別從陽(yáng)極和陰極給有機(jī)層注入空穴和電子。因此,空穴和電子在有機(jī)層中彼此復(fù)合來(lái)發(fā)光。
有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)層是多層結(jié)構(gòu),包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層和電荷注入層。形成各層的有機(jī)材料由于抗水性低而不能采用濕法工藝。因?yàn)檫@個(gè)原因,為了形成有機(jī)層,各層依次形成在有機(jī)電致發(fā)光元件的元件基板(通常為玻璃基板)上,以提供所要求的多層結(jié)構(gòu)。另外,為了色彩化處理,對(duì)應(yīng)于R(紅)、G(綠)和B(藍(lán))色彩成分的三種有機(jī)材料通過(guò)采用真空薄膜形成技術(shù)的真空沉積法沉積在各個(gè)不同的像素位置,由此形成有機(jī)層。
真空沉積設(shè)備用于形成有機(jī)層。真空室底層面積的增加導(dǎo)致真空沉積設(shè)備成本的劇增,并且增加設(shè)備的安裝面積,由此增加安裝成本。因此,從成本上看增加了負(fù)面因素。另外,真空室體積的增加,增加了抽真空的必要時(shí)間,因此傾向于降低生產(chǎn)效率。
為了應(yīng)對(duì)其上通過(guò)真空沉積形成膜并且具有多層有機(jī)層的基板(下文稱(chēng)為“待加工基板”)的擴(kuò)大,近些年已經(jīng)采用線型長(zhǎng)蒸發(fā)源。另外,提出了一種沉積設(shè)備,其中在真空室中提供要排列的多個(gè)這樣的蒸發(fā)源(見(jiàn)日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2003-157973號(hào))。
發(fā)明內(nèi)容
如果多個(gè)線型蒸發(fā)源提供成如上所述的排列方式,則相鄰蒸發(fā)源之間的間隔減少,以使真空室的底層面積和安裝面積減小。然而,相鄰蒸發(fā)源之間的間隔減小和真空室的底層面積減小將減少在真空室中維護(hù)沉積設(shè)備的工作空間。沉積設(shè)備的維護(hù)工作的實(shí)例包括:蒸發(fā)材料填入蒸發(fā)源中的填充工作;膜厚度傳感器(其采用例如晶體振蕩器)的置換工作;以及粘合保護(hù)板和限制板的清洗工作,該粘合保護(hù)板適用于防止蒸發(fā)材料粘合到不需要蒸發(fā)材料的部分,該限制板適用于限制沉積范圍。
所希望的是提供一種沉積設(shè)備,該沉積設(shè)備能夠提供滿(mǎn)意的維護(hù)性能而不在線型蒸發(fā)源之間設(shè)定寬的安裝間隔。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所提供的沉積設(shè)備包括:多個(gè)線型蒸發(fā)源,提供成排列在預(yù)定的方向上;和運(yùn)動(dòng)與支撐機(jī)構(gòu),用于支撐該多個(gè)線型蒸發(fā)源以便在蒸發(fā)源的排列方向和/或縱向方向上可單獨(dú)運(yùn)動(dòng)。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積設(shè)備中,通過(guò)在其任何排列方向和縱向方向上運(yùn)動(dòng)蒸發(fā)源,在真空室中可以擴(kuò)大用于維護(hù)的空間。
根據(jù)本發(fā)明,通過(guò)在維護(hù)期間根據(jù)需要運(yùn)動(dòng)每個(gè)蒸發(fā)源可以保證維護(hù)所需的寬闊空間,而無(wú)需在真空室中的蒸發(fā)源之間設(shè)定寬的安裝間隔。
附圖說(shuō)明
圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積設(shè)備的示范性構(gòu)造的示意圖;
圖2A和2B是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積設(shè)備主要部分的示意圖;
圖3通過(guò)實(shí)例的方式圖示了線型蒸發(fā)源的運(yùn)動(dòng);
圖4通過(guò)另一個(gè)實(shí)例的方式圖示了線型蒸發(fā)源的運(yùn)動(dòng);
圖5通過(guò)實(shí)例的方式圖示了典型蒸發(fā)源的構(gòu)造;
圖6A和6B圖示了線型蒸發(fā)源的第一構(gòu)造實(shí)例;
圖7A和7B圖示了線型蒸發(fā)源的第二構(gòu)造實(shí)例;
圖8A和8B圖示了線型蒸發(fā)源的第三構(gòu)造實(shí)例;
圖9A和9B圖示了線型蒸發(fā)源的第四構(gòu)造實(shí)例;
圖10圖示了坩堝單元(crucible?unit)的構(gòu)造實(shí)例;和
圖11A和11B圖示了線型蒸發(fā)源的第五構(gòu)造實(shí)例。
具體實(shí)施方式
在下文,將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積設(shè)備的示范性構(gòu)造的示意圖。如圖所示的沉積設(shè)備1用于在采用例如有機(jī)電致發(fā)光元件制造顯示裝置中在由例如玻璃基板制造的待加工基板2上沉積有機(jī)層。
沉積設(shè)備1裝備有未示出的真空室。沉積設(shè)備1的真空室在內(nèi)部提供有適用于傳送待加工基板2的傳送裝置(未示出)和多個(gè)線型蒸發(fā)源3。傳送裝置通過(guò)在Y方向上運(yùn)動(dòng)待加工基板2(水平運(yùn)動(dòng))來(lái)在Y方向上相對(duì)運(yùn)動(dòng)待加工基板2和線型蒸發(fā)源3,而在相對(duì)于線型蒸發(fā)源3的位置上水平支撐待加工基板2。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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