[發(fā)明專利]消除感應耦合等離子體反應器中M形狀蝕刻率分布的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810094636.1
• 申請日: 2008-04-24
• 公開（公告）號: CN101295629A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發(fā)明（設計）人: 劉詩德;李恭泰;瓦倫頓·圖杜羅;金泰旺;安尼蘇爾·卡恩;沙善克·戴斯沙姆克
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32;H05H1/46;C23F4/00
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 趙飛

1.一種用于處理襯底的設備，包括：

具有頂?shù)氖遥?/p>

與所述頂相鄰的第一和第二天線，所述第一天線與所述第二天線同心，其中，所述第一天線包括具有至少17”的直徑的第一電磁線圈；

等離子體源功率供應，其耦合到所述第一和第二天線；以及

襯底支撐，其設置在所述室內，其中，所述襯底支撐和所述頂之間的距離至少是6”，

其中，所述第一天線的尺寸和所述襯底支撐和所述頂之間的距離使所述襯底支撐上的具有300mm直徑的襯底的蝕刻率均勻，并且沒有M形狀分布。

2.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中，所述第二天線包括第二電磁線圈。

3.根據(jù)權利要求2所述的設備，其中，所述第一電磁線圈的直徑大于所述第二電磁線圈的直徑。

4.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中，所述襯底的內區(qū)域的蝕刻率取決于所述第一天線的尺寸。

5.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中，所述襯底的外區(qū)域的蝕刻率取決于所述襯底支撐和所述頂之間的距離。

6.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中，所述等離子體源功率供應還包括：

RF功率供應；以及

阻抗匹配網(wǎng)絡，其耦合到所述RF功率供應，

其中，所述阻抗匹配網(wǎng)絡包括具有可不同調節(jié)的功率電平的第一和第二RF輸出，所述第一RF輸出連接到所述第一天線，所述第二RF輸出連接到所述第二天線。

7.根據(jù)權利要求6所述的設備，其中，所述阻抗匹配網(wǎng)絡產生到所述第一天線的第一RF功率電平和到所述第二天線的第二RF功率電平，

其中，可不同地調節(jié)所述分別施加到所述第一和第二天線的RF功率電平以控制從所述第一和第二天線施加到RF場的徑向分布。

8.一種用于在感應耦合處理室中處理襯底的方法，包括：

定位與所述室的頂相鄰的第一和第二天線，所述第一天線與所述第二天線同心，其中，所述第一天線包括具有至少17”的直徑的第一電磁線圈；

在所述室中設置襯底支撐，其中，所述襯底支撐和所述頂之間的距離至少是6”；以及

調節(jié)所述第一天線的尺寸和所述室的體積，使得所述襯底支撐上的具有300mm直徑的襯底的蝕刻率均勻，并且沒有M形狀分布。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，還包括：

將等離子體源功率供應耦合到所述第一和第二天線，

其中，所述等離子體源功率供應包括具有可不同調節(jié)的功率電平的第一和第二RF輸出，所述第一RF輸出連接到所述第一天線，所述第二RF輸出連接到所述第二天線。

10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，調節(jié)所述室的體積還包括：

調節(jié)所述襯底支撐和所述室的所述頂之間的距離。

11.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，所述第二天線包括第二電磁線圈。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述第一電磁線圈的直徑大于所述第二電磁線圈的直徑。

13.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，所述襯底的內區(qū)域的蝕刻率取決于所述第一天線的尺寸。

14.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述襯底的外區(qū)域的蝕刻率取決于所述襯底支撐和所述頂之間的距離。

15.根據(jù)權利要求8所述的方法，還包括：

平衡所述第一電磁線圈的直徑和所述襯底支撐和所述室的頂之間的距離以對所述襯底進行均勻的蝕刻。

16.一種感應耦合等離體處理室，包括：

具有頂?shù)氖遥?/p>

與所述頂相鄰的第一和第二天線，所述第一天線與所述第二天線同心；

設置在所述室中的襯底支撐，所述襯底支撐用于支撐300mm的襯底；

用于將第一RF功率供應到所述第一天線以及將第二RF功率供應到所述第二天線的裝置；以及

其中，所述頂與所述襯底分開一距離，并且其中，所述距離是可調節(jié)的，并且其中，所述第一天線具有可調節(jié)的直徑；以及

其中，所述第一天線包括第一電磁線圈，并且所述第二天線包括第二電磁線圈，所述第一電磁線圈的直徑大于所述第二電磁線圈的直徑，所述第一電磁線圈的直徑至少為17”，所述襯底支撐和所述頂之間的距離至少為6”，并且其中，所述襯底支撐上的300mm的晶片的蝕刻率均勻，并且沒有M形狀分布。