[發明專利]用于與磁化率相關的磁場畸變的檢測和成像的磁共振方法有效
| 申請號: | 200810094626.8 | 申請日: | 2008-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN101299061A | 公開(公告)日: | 2008-11-05 |
| 發明(設計)人: | 奧利弗·比厄里;克勞斯·舍費爾 | 申請(專利權)人: | 巴塞爾大學 |
| 主分類號: | G01R33/565 | 分類號: | G01R33/565 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 磁化率 相關 磁場 畸變 檢測 成像 磁共振 方法 | ||
1.一種磁共振成像(MRI)方法,包括:
提供一種非平衡穩態自由進動(SSFP)協議,其中自旋 被去定相,使得在一幅磁共振成像(MRI)圖像中抑制了一個 或多個信號,
使具有磁化率的材料經受所述的非平衡穩態自由進動 (SSFP)協議,其中所述材料造成一種局部的磁場畸變,該 磁場畸變產生局部場梯度,
其中所述的局部場梯度局部地補償所述去定相的自旋, 使得所述去定相的自旋被重新定相以便提供一個局部信號。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述局部信號是一種高陽性 信號。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述協議是一種非平衡的穩 態自由進動(SSFP)序列,其中該重新定相的自旋局部地產 生一種平衡的穩態自由進動(SSFP)。
4.根據權利要求1所述的方法,其中在一個TR內的這些自旋被 去定相2π或1.9π或2.1π或2π的整數倍。
5.根據權利要求4所述的方法,其中在一個TR內的這些自旋被 去定相4π。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述去定相發生在沿讀取梯 度(Gx)、相位編碼梯度(Gy)、層面選擇梯度(Gz)或它們 的一個組合。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述局部場梯度完全補償所 述去定相自旋。
8.根據權利要求3所述的方法,其中所述局部場梯度完全補償所 述去定相自旋。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述具有磁化率的材料是一 種抗磁性、順磁性或鐵磁性材料。
10.根據權利要求9所述的方法,其中所述材料是一種鐵磁性材料。
11.根據權利要求1所述的方法,其中所述磁共振成像(MRI)圖 像是一維、二維或三維的。
12.根據權利要求1所述的方法,其中所述具有磁化率的材料在一 個局限的區域內,并且其中所述非平衡穩態自由進動(SSFP) 協議是一種瞬態非平衡穩態自由進動(SSFP)相位。
13.根據權利要求12所述的方法,其中在所述材料已經承受了所述 瞬態非平衡穩態自由進動(SSFP)相位的一到十個激勵脈沖 之后檢測到一個信號。
14.根據權利要求13所述的方法,其中檢測到的信號是在1到30 毫秒之內生成。
15.根據權利要求14所述的方法,其中該材料是一個移動的局部磁 場干擾物的一部分,并且其中生成了所述移動的局部磁場干擾 物的一幅投影圖像。
16.根據權利要求14所述的方法,其中檢測到的信號是在1到20 毫秒之內生成。
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