[發(fā)明專利]切換式調(diào)整電路及雙線圈馬達(dá)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810094236.0
• 申請(qǐng)日: 2008-04-23
• 公開（公告）號(hào): CN101567656A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳炫全;林登財(cái)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 遠(yuǎn)翔科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H02P7/28
• 分類號(hào): H02P7/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 郭定輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種用于雙線圈馬達(dá)裝置的電路，特別是關(guān)于可防止電路運(yùn)作時(shí)而發(fā)生錯(cuò)誤功能的切換式調(diào)整電路。

背景技術(shù)

許多的電子產(chǎn)品中，由于電路運(yùn)作時(shí)受到電流的熱效應(yīng)而產(chǎn)生大量的熱，此時(shí)，便需要一風(fēng)扇馬達(dá)以輔助電子產(chǎn)品在電路運(yùn)作時(shí)供散熱之用。常用以控制風(fēng)扇馬達(dá)的其中之一裝置便是使用雙線圈馬達(dá)裝置，如圖1所示，是雙線圈馬達(dá)裝置1的示意圖，其運(yùn)作是將雙線圈馬達(dá)裝置1的定子11上所纏繞的雙線圈13中的其中之一通以電流后，由于線圈與轉(zhuǎn)子之間的磁力作用而帶動(dòng)風(fēng)扇15轉(zhuǎn)動(dòng)，其中對(duì)于同一定子11上的雙線圈13的纏繞方式為：其中的一線圈13a為由上而下以順時(shí)針?lè)绞铰菪p繞，另一線圈13b為由上而下以逆時(shí)針?lè)绞铰菪p繞，如圖2所示。

請(qǐng)參考圖3，為一種用以驅(qū)動(dòng)雙線圈馬達(dá)裝置1的風(fēng)扇15轉(zhuǎn)動(dòng)的一電路，當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)偵測(cè)器35偵測(cè)到一轉(zhuǎn)子的一轉(zhuǎn)動(dòng)位置時(shí)，發(fā)出一信號(hào)35a經(jīng)由驅(qū)動(dòng)電路33a后，輸出偵測(cè)信號(hào)34a至柵控切換元件31a的柵極311a(或發(fā)出一信號(hào)35b經(jīng)由驅(qū)動(dòng)電路33b后，輸出偵測(cè)信號(hào)34b至柵控切換元件31b的柵極311b)，一般而言，柵控切換元件多為一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-type?MOSFET)，以下將以此為例說(shuō)明。為方便說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)容，在此，以雙線圈中一線圈13b受到另一線圈13a的磁通量變化為說(shuō)例；當(dāng)線圈13b感應(yīng)出一負(fù)電壓的瞬時(shí)，該負(fù)電壓所對(duì)應(yīng)的一感應(yīng)電流便由柵控切換元件的漏極313b流往線圈13b，當(dāng)該負(fù)電壓超過(guò)寄生二極管317b的臨界電壓時(shí)，將使寄生二極管317b順向偏壓而導(dǎo)通，電荷載子便流入至柵控切換元件31b的P型基板內(nèi)，使得在P型基板內(nèi)流竄的電荷載子影響電路的正常工作，因此柵控切換元件31b電路便發(fā)生錯(cuò)誤功能，更甚者，將導(dǎo)致互補(bǔ)性金氧半導(dǎo)體閂鎖效應(yīng)(CMOS?Latch-up)，造成驅(qū)動(dòng)電路永久損毀。反之，若是線圈13a受到線圈13b的磁通量發(fā)生變化時(shí)，亦具有相同的問(wèn)題發(fā)生，在此就不多加贅述。

請(qǐng)一并參考圖4，其繪示柵控切換元件31a或31b的剖面示意圖。由于柵控切換元件31a、31b具有相同的結(jié)構(gòu)，以下將以柵控切換元件31b為例說(shuō)明。當(dāng)柵控切換元件31b的柵極311b被關(guān)閉時(shí)，漏極313b與源極315b之間無(wú)法導(dǎo)通電流。由于柵控切換元件31b的基板60本身存在著一寄生二極管(parasitic?diode)317b，該寄生二極管317b的一端與漏極313b電性連接，而另一端與源極315b電性連接。然而，當(dāng)線圈13b因互感而于漏極313b產(chǎn)生該負(fù)電壓，導(dǎo)致寄生二極管317b的順向偏壓超過(guò)臨界電壓時(shí)，將導(dǎo)通寄生二極管317b。倘若流經(jīng)寄生二極管317b的電流所攜帶的電荷載子數(shù)目過(guò)多或能量過(guò)高，將使過(guò)多的電子于基板60內(nèi)流竄，造成電路運(yùn)作時(shí)而發(fā)生錯(cuò)誤，影響整體電路效能。

針對(duì)上述缺點(diǎn)，半導(dǎo)體工業(yè)已提出一套解決方案且廣泛被采用，該套解決方案即為N-type?MOSFET?31的P型基板內(nèi)設(shè)計(jì)一保護(hù)環(huán)(guard?ring)，用以捕捉或收集注入至P型基板的電荷載子以避免閂鎖效應(yīng)(latch-up)的發(fā)生，進(jìn)而防止電路發(fā)生錯(cuò)誤的功能。然而，當(dāng)注入至P型基板的電荷載子能量過(guò)高或數(shù)目過(guò)多的時(shí)候，保護(hù)環(huán)仍無(wú)法完全地捕捉或收集電荷載子而避免閂鎖效應(yīng)的發(fā)生。

有鑒于此，如何防止因寄生元件導(dǎo)通而產(chǎn)生的電荷流竄現(xiàn)象，而降低整體電路的運(yùn)作效能，乃為業(yè)界亟需解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一目的在于提供一種切換式調(diào)整電路，包含一柵控切換元件及一驅(qū)動(dòng)電路，該切換式調(diào)整電路用于一雙線圈馬達(dá)裝置，該雙線圈馬達(dá)裝置包含一第一線圈、一第二線圈，交替地導(dǎo)通電流，及一供電源，該雙線圈馬達(dá)裝置產(chǎn)生一感應(yīng)電壓信號(hào)代表未導(dǎo)通電流的該第二線圈的一感應(yīng)電壓。藉此，當(dāng)該感應(yīng)電壓信號(hào)超過(guò)一參考值時(shí)，該驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)通該柵控切換元件，以防止該柵控切換元件于電路運(yùn)作時(shí)而發(fā)生錯(cuò)誤功能。

為達(dá)上述目的，柵控切換元件的一柵極與驅(qū)動(dòng)電路耦合，柵控切換元件的另二電極分別耦合至第二線圈及供電源；驅(qū)動(dòng)電路用以偵測(cè)該雙線圈馬達(dá)裝置的一轉(zhuǎn)子的一轉(zhuǎn)動(dòng)位置以產(chǎn)生一偵測(cè)信號(hào)，并因應(yīng)該偵測(cè)信號(hào)及感應(yīng)電壓信號(hào)切換該柵控切換元件，當(dāng)該驅(qū)動(dòng)電路因應(yīng)該偵測(cè)信號(hào)而關(guān)閉該柵控切換元件，且該感應(yīng)電壓信號(hào)超過(guò)一參考值時(shí)，該驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)通該柵控切換元件。