[發(fā)明專利]垂直配向型液晶顯示器及電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810093827.6
• 申請日: 2008-04-30
• 公開（公告）號: CN101299118A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杉山大
• 申請（專利權(quán)）人: 統(tǒng)寶光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1337
• 分類號: G02F1/1337;G02F1/139
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 彭久云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及多區(qū)域(multidomain)液晶顯示器，且特別涉及影像顯示經(jīng) 改善的多區(qū)域液晶顯示器。

背景技術(shù)

現(xiàn)在，以提供與CRT匹敵的影像的平面顯示器而言，液晶顯示裝置使 用于個人計算機(jī)、電視、攜帶電話的畫面、各種OA機(jī)器等，因而可以期待 市場進(jìn)一步擴(kuò)大。

一般而言，液晶顯示裝置是由在兩片基板之間注入液晶并調(diào)節(jié)施加于此 的電場強(qiáng)度而調(diào)節(jié)光透過量的構(gòu)造所構(gòu)成。液晶顯示裝置之中，垂直配向 (Vertically?aligned；VA)方式的液晶顯示裝置具有在內(nèi)側(cè)面形成有透明電極而 在外側(cè)面配置有偏光板的一對透明基板。在兩片透明基板之間充填介電率各 向異性為負(fù)的液晶物質(zhì)，一旦對電極施加電壓的話，則在與基板垂直的方向 會產(chǎn)生電場，而液晶分子的長軸傾向與電場垂直的方向。如此一來，在VA 型的液晶顯示裝置中，雖然通過施加垂直方向的縱電場而使在基板垂直配向 的液晶分子轉(zhuǎn)向水平方向以變化透過率；但是也有人提出多區(qū)域垂直配向 (MVA型)，亦即在1個像素內(nèi)將液晶分子傾斜的方向控制在多個方向上。

以實現(xiàn)MVA型的方法而言，有人提出在像素電極設(shè)置突起的方法、與 在像素電極部設(shè)置狹縫的方法。在設(shè)置突起的方法中，在未施加電壓的狀態(tài) 下，配向于垂直方向的液晶分子會隨著突起的形成而約略傾斜。因此，可以 將電壓施加時的液晶分子的傾斜方向控制在一定的方向。在設(shè)置狹縫部的方 法中，于施加電壓時，位于狹縫部的液晶分子會相對于電場方向呈約略傾斜 的狀態(tài)，而可以再現(xiàn)與設(shè)置突起的情況相同的狀態(tài)。

圖4a繪示在將狹縫部設(shè)置于已知的MVA型的液晶顯示裝置的電極的情 況下的電壓施加時的液晶分子的配向方向。狹縫部45、46等雖設(shè)置于上下 電極的任意位置，但是其位置在上下電極并不重疊。如圖4a所示，通過因 狹縫部的影響所引起的電場方向的變化，而可以利用液晶分子的傾斜方向在 狹縫部周邊變化以達(dá)成多區(qū)域化。

在設(shè)置狹縫部的方法中，由于在狹縫部不會產(chǎn)生電場，因此液晶分子大 致上為垂直排列。這是因為，狹縫部很寬的情況下，液晶分子在與基板垂直 的方向配向的區(qū)域會變大，而此部分的透過率大約接近0，因此透過率變低。 因此，一般而言，有使狹縫部的寬度(面積)變小的傾向，但是一旦將狹縫部 的寬度縮得很小的話，則在狹縫部之間也會產(chǎn)生電場，狹縫部上的液晶分子 會往基板平行的方向傾斜，并受到附近液晶配向的影響，例如，狹縫部上的 液晶分子如圖4b一樣而配向。液晶由左右方向傾斜，而于中心部分產(chǎn)生液 晶垂直地配向的核心(core)48。此核心48因應(yīng)狹縫部寬度的大小造成施加 電壓變動而移動，而引起影像粗糙等光學(xué)特性上的不良的問題。

另外，不限于MVA型，一般而言，在垂直配向型的液晶顯示器中，例 如，在各像素的連接部、鄰接部等，上下電極其中一者有缺少的部分，在該 部分中，由于成為與上述MVA型的電極的狹縫部相同構(gòu)造的緣故，因此， 在缺少電極的區(qū)域(狹縫部)中，會形成電場方向不同的區(qū)域。由此，在形 成液晶分子的配向方向不同的區(qū)域，其邊界區(qū)域會形成與上述MVA同樣的 液晶分子配向的核心。在各像素的連接部、鄰接部等，在如上所述而產(chǎn)生的 核心會因為施加電壓的變動而移動的情況下，還是會引起光學(xué)特性上的不 良。

圖5a繪示垂直配向型液晶顯示裝置的像素500的連接部502。圖5b繪 示位于X-X′線的剖面的電極構(gòu)造。由于上述連接部僅殘留連接電極54，而 其它部分成為電極的狹縫部55，因此會產(chǎn)生如圖5b的箭頭所示的電場。根 據(jù)施加電壓的大小，而由于圖示的電場等的影響，在連接部上會產(chǎn)生核心。 但是，在連接部上，與基板垂直的方向會產(chǎn)生電場，且此電場與圖示的電場 的影響與施加電壓一起變化，使核心的位置移動。

圖5c繪示在連接部及鄰接部產(chǎn)生的核心位置。如圖5c所示，核心59 是以均等的間隔產(chǎn)生。但是，在像素間的狹縫部充分地縮小且在連接部上產(chǎn) 生核心的情況下，因為施加電壓的變化，核心會往橫方向(圖5c所示箭頭的 方向)移動。在同一面板面內(nèi)的每一像素產(chǎn)生隨機(jī)的核心的移動的情況下， 會造成不良的光學(xué)特性。

為了解決位于連接部及鄰接部的上述問題，雖然考慮將像素間的狹縫部 寬度充分地擴(kuò)大，但是會導(dǎo)致開口率降低。另外，雖然也考慮在鄰接的像素 施加不同電壓的改善方法，但是變成必須追加電路或變更電壓施加順序，因 此會成為設(shè)計復(fù)雜化等成本增加的主要原因。