[發明專利]積層式基板以及使用該基板的芯片封裝構造

無效

• 申請號: 200810093702.3
• 申請日: 2008-04-16
• 公開（公告）號: CN101562169A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 范文正
• 申請（專利權）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/488;H01L23/31;H05K1/02;H05K3/28;H05K3/46
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司
• 代理人: 張 瑾;王黎延

1、一種積層式基板，其特征在于，包含：

核心層，其具有第一表面與第二表面；

第一金屬層，其形成于該核心層的該第一表面；

第二金屬層，其形成于該核心層的該第二表面；

第一焊罩層，其形成于該核心層的該第一表面并覆蓋該第一金屬層；以及

第二焊罩層，其形成于該核心層的該第二表面并覆蓋該第二金屬層；

該第一焊罩層與該第二焊罩層具有大致相同的厚度，并且該第一焊罩層與該第二焊罩層具有不相同的熱膨脹系數，以降低該積層式基板的翹曲度。

2、如權利要求1所述的積層式基板，其特征在于，該積層式基板還包含有粘晶層，其局部覆蓋于該第二焊罩層上。

3、如權利要求第1或2所述的積層式基板，其特征在于，所述第一焊罩層的熱膨脹系數小于該第二焊罩層的熱膨脹系數。

4、如權利要求1或2所述的積層式基板，其特征在于，所述第一焊罩層的熱膨脹系數大于該第二焊罩層的熱膨脹系數。

5、如權利要求1所述的積層式基板，其特征在于，該積層式基板還具有通孔，其貫穿該第一焊罩層、該第一金屬層、該核心層、該第二金屬層以及該第二焊罩層。

6、如權利要求1或5所述的積層式基板，其特征在于，所述第一金屬層為線路層并連接有兩個或兩個以上外接墊。

7、如權利要求6所述的積層式基板，其特征在于，所述第二金屬層為線路層并連接有兩個或兩個以上內接指。

8、如權利要求6所述的積層式基板，其特征在于，所述第二金屬層為虛置銅箔層，并且該第一金屬層連接有兩個或兩個以上內接指。

9、一種使用積層式基板的芯片封裝構造，其特征在于，包含：

積層式基板，包含：

核心層，其具有第一表面與第二表面；

第一金屬層，其形成于該核心層的該第一表面；

第二金屬層，其形成于該核心層的該第二表面；

第一焊罩層，其形成于該核心層的該第一表面并覆蓋該第一金屬層；以及

第二焊罩層，其形成于該核心層的該第二表面并覆蓋該第二金屬層；

該第一焊罩層與該第二焊罩層具有大致相同的厚度，并且該第一焊罩層與該第二焊罩層具有不相同的熱膨脹系數，以降低該積層式基板的翹曲度；

芯片，其設置于該第二焊罩層的上表面；

兩個或兩個以上電性連接元件，電性連接該芯片至該基板的第一金屬層；以及

封膠體，其設置于該基板的該第二焊罩層的上表面上，以密封該芯片。

10、如權利要求9所述的使用積層式基板的芯片封裝構造，其特征在于，所述積層式基板還包含有粘晶層，其局部覆蓋于該第二焊罩層上，以粘接該芯片。

11、如權利要求9或10所述的使用積層式基板的芯片封裝構造，其特征在于，所述第一焊罩層的熱膨脹系數小于該第二焊罩層的熱膨脹系數。

12、如權利要求9或10所述的使用積層式基板的芯片封裝構造，其特征在于，所述第一焊罩層的熱膨脹系數大于該第二焊罩層的熱膨脹系數。

13、如權利要求9所述的使用積層式基板的芯片封裝構造，其特征在于，所述積層式基板具有通孔，其貫穿該第一焊罩層、該第一金屬層、該核心層、該第二金屬層以及該第二焊罩層

14、如權利要求9或13所述的使用積層式基板的芯片封裝構造，其特征在于，所述第一金屬層為線路層并連接有兩個或兩個以上外接墊。

15、如權利要求14所述的使用積層式基板的芯片封裝構造，其特征在于，所述第二金屬層為線路層并連接有兩個或兩個以上內接指。

16、如權利要求14所述的使用積層式基板的芯片封裝構造，其特征在于，所述第二金屬層為虛置銅箔層，并且該第一金屬層連接有兩個或兩個以上內接指。