[發明專利]非易失性存儲器件及其讀取方法

無效

• 申請號: 200810093264.0
• 申請日: 2008-05-19
• 公開（公告）號: CN101425335A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 尹太彥
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊林森;楊紅梅

1.一種非易失性存儲器件，包括：

多個字線；

多個主位線，其與多個字線相交；

多個單元塊，每一個單元塊包括多個單元串，每一個單元串包括第一選擇晶體管、第二選擇晶體管和多個存儲單元，通過各個字線選擇存儲單元，其中將多個單元塊分為多個組，組的數量等于或者小于單元塊的數量；

多個子位線，其中每一個組具有共同連接到同一組中的單元塊的各個單元串的一組子位線；

多個組選擇器，其被配置為選擇性地將主位線連接到選擇的組的子位線；以及

多個頁緩沖器，其被配置為通過主位線感測存儲單元的數據。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中組選擇器將主位線連接到與具有要讀取的存儲單元的單元串連接的子位線。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中組選擇器中的每一個包括串聯連接在相鄰組的相鄰單元塊中的第一選擇晶體管之間的第三選擇晶體管。

4.根據權利要求3所述的非易失性存儲器件，其中第三選擇晶體管是NMOS晶體管。

5.根據權利要求3所述的非易失性存儲器件，還包括接觸插頭，其被配置為將第三選擇晶體管的漏極連接到主位線。

6.根據權利要求3所述的非易失性存儲器件，還包括選擇線，其被配置為選擇第三選擇晶體管。

7.根據權利要求6所述的非易失性存儲器件，其中選擇線與字線并行。

8.根據權利要求6所述的非易失性存儲器件，其中選擇線和字線由相同的層形成。

9.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括組選擇信號產生器，其被配置為產生用于控制組選擇器的操作的組選擇信號。

10.根據權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中組選擇信號產生器包括串聯連接在電源電壓端和組選擇器之間的多個晶體管。

11.根據權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中組選擇信號產生器包括串聯連接在電源電壓端和地電壓端之間的多個晶體管。

12.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中單元塊包括相同數量或者不同數量的單元串。

13.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中主位線由與子位線的層不同的層形成，從而主位線與子位線電隔離。

14.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中主位線形成在子位線上方。

15.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中子位線與主位線并行。

16.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括接觸插頭，其被配置為將子位線連接到第一選擇晶體管的漏極。

17.一種非易失性存儲器件的讀取方法，所述非易失性存儲器件具有各自設置有多個單元串的多個單元塊，將單元塊分為多個組，每一個組具有一組子位線，對同一個組中的單元塊的單元串分配所述子位線，所述方法包括：

將主位線電連接到子位線中的一個，子位線連接到具有存儲單元中要讀取的存儲單元的單元串；以及

使其余子位線與主位線電隔離，從而從電連接到主位線的單元串中讀取數據。