[發明專利]具有微穴的封裝構造及其制造方法有效
| 申請號: | 200810093193.4 | 申請日: | 2008-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN101261965A | 公開(公告)日: | 2008-09-10 |
| 發明(設計)人: | 彭勝揚 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/02 | 分類號: | H01L23/02;H01L23/10;H01L23/13;H01L21/50;B81B7/00;B81C1/00;H04R31/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 臺灣省高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 封裝 構造 及其 制造 方法 | ||
術領域
本發明是有關于一種具有微穴的封裝構造,更特別有關于一種具有微穴的封裝構造,當進行其環形支撐墻的模造制程時,模造材料所產生的氣泡空隙可疏導至溝槽。
背景技術
參考圖1,其顯示一種習知堆棧式半導體封裝構造10。該堆棧式半導體封裝構造10包含一第一封裝構造20(亦即上封裝構造)及一第二封裝構造30(亦即下封裝構造)。
該第一封裝構造20包含一第一基板22、一第一芯片24及一第一封膠體26。該第一芯片24是固定于該第一基板22上,且該第一芯片24的主動表面是借助焊線28電性連接于該第一基板22的上表面21的接墊(圖未示)。第一封膠體26是用以包覆該第一芯片24及焊線28。
該第二封裝構造30包含一第二基板32、一第二芯片34及一第二封膠體36。該第二芯片34是固定于該第二基板32上,且該第二芯片34的主動表面是借助焊線38電性連接于該第二基板32的上表面31的接墊(圖未示)。該第二封膠體36是用以包覆該第二芯片34及焊線38。
該第二基板32的上表面31的焊墊35是借助錫球12電性連接于該第一基板22的下表面23的焊墊25,用以在該第一及第二封裝構造20、30之間傳送信號。
參考圖2a及2b,當進行該第二封膠體36的模造制程(molding?process)時,為了避免該封膠體36的溢膠污染該焊墊35,該第二基板32設有溝槽37緊鄰于該第二封膠體36。詳細而言,將一模具40放置于該第二基板32的上表面31上,用以模造該第二封膠體36。該模具40具有一封膠入口42、一方形空穴44及一封膠出口46。當封膠體材料由該封膠入口42灌入,封膠體材料會依模流方向48前進,然后充滿整個方形空穴44,最后由該封膠出口46離開。若模流的速度大致上相同,則該封膠體材料不易在該方形空穴44中產生氣泡。因此,該第二基板32的溝槽37僅僅用以避免溢膠污染該焊墊35,而非用以減少該封膠體36內形成氣泡。
然而,針對具有微穴的封裝構造50而言,其環形支撐墻54內較易產生氣泡空隙。參考圖3,該封裝構造50包含一基板52、一環形支撐墻54、一芯片56及一外蓋58。該環形支撐墻54是配置于該基板52上,并與該基板52形成了一空穴51。該芯片56是固定于該基板52上,并位于該空穴內51。該外蓋58是固定于該些環形支撐墻54上。參考圖4a及4b,當進行該環形支撐墻54的模造制程(molding?process)時,該模造材料會產生氣泡空隙(void)而使該環形支撐墻54內形成氣泡空隙。詳細而言,將一模具60放置于該基板52上,用以模造該環形支撐墻54。該模具60具有一封膠入口62、一環形空穴64及一封膠出口66。當模造材料由該封膠入口62灌入,模造材料會依模流方向前進,然后充滿整個環形空穴64,最后由該封膠出口66離開。若第一模流72與第二模流74的速度不同時,則該模造材料容易在該環形空穴64中產生氣泡76。
因此,便有需要提供一種具有微穴的封裝構造,能夠解決前述的缺點。
發明內容
本發明的一目的在于提供一種具有微穴的封裝構造,當進行其環形支撐墻的模造制程時,模造材料所產生的氣泡空隙可疏導至溝槽,以減少該環形支撐墻內形成氣泡空隙。
為達上述目的,本發明提供一種具有微穴的封裝構造,包含一基板單元、一環形支撐墻、一組件及一外蓋。該基板單元的表面上定義有一模造區及一非模造區,并包含至少一溝槽及一組件區域,該溝槽及組件區域皆位于該非模造區,且該溝槽環繞該組件區域。環形支撐墻是配置于該模造區上,并與該基板單元形成了一空穴,其中該溝槽是位于該空穴內,并與該環形支撐墻之間具有一預定距離。該組件是固定于該組件區域上。該外蓋是固定于該些環形支撐墻上。
當進行該環形支撐墻的模造制程時,模造材料所產生的氣泡空隙可疏導至該溝槽,以減少該環形支撐墻內形成氣泡空隙。同時,該模造材料所產生的溢膠亦可疏導至該溝槽,以防止溢膠污染該組件。
為了讓本發明的上述和其它目的、特征、和優點能更明顯,下文將配合所附圖示,作詳細說明如下。
附圖說明
圖1為先前技術的堆棧式半導體封裝構造的剖面示意圖。
圖2a及2b為先前技術的堆棧式半導體封裝構造的下封裝構造的剖面及平面示意圖,其顯示第二封膠體的模造制程。
圖3為先前技術的具有微穴的封裝構造的剖面示意圖。
圖4a及4b為先前技術的具有微穴的封裝構造的剖面及平面示意圖,其顯示環形支撐墻的模造制程。
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