[發明專利]制造具有自對準電極的半導體存儲器件的方法

無效

• 申請號: 200810093182.6
• 申請日: 2008-04-24
• 公開（公告）號: CN101325179A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 金楨仁;吳在熙;孔晙赫;樸哉炫;李廣宇
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/768;H01L27/24;H01L23/522;G11C11/56;G11C16/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 黃啟行;穆德駿

1.一種制造半導體存儲器件的方法，包括：

在襯底上形成具有多個接觸孔的層間絕緣層；

形成多個相變圖形，其中該多個相變圖形的每個相變圖形部分地填充所述多個接觸孔的相應一個接觸孔；以及

在所述層間絕緣層上方形成位線，該位線包括相對于所述相變圖形自對準并接觸所述相變圖形的位延伸。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述相變圖形包括：

形成填充所述接觸孔的相變材料層；以及

回蝕所述相變材料層，使得所述相變圖形的上表面低于所述層間絕緣層的上表面。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述相變圖形包括從Te、Se、Ge、Sb、Bi、Pb、Sn、Ag、As、S、Si、P、O和C選擇的至少兩種化合物。

4.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述位線包括：

形成覆蓋所述相變圖形、所述接觸孔的側壁以及所述層間絕緣層的位阻擋金屬層；

在所述位阻擋金屬層上形成完全填充所述接觸孔并覆蓋所述層間絕緣層的位導電層，其中，所述相變圖形上方的所述位導電層的部分厚于在所述層間絕緣層上方的所述位導電層的部分；以及

部分地去除所述位導電層和所述位阻擋金屬層。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述相變圖形之前，刻蝕暴露于所述接觸孔的部分所述層間絕緣層，以形成擴展接觸孔，以及在所述擴展接觸孔的側壁上形成遮蓋圖形。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括：

在形成所述遮蓋圖形之前，在所述擴展接觸孔中形成中間層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述中間層包括TiO、ZrO、導電碳族材料或其組合物。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述相變圖形之前，在所述接觸孔中形成下電極。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述下電極包括：

形成覆蓋所述接觸孔的側壁和底部的下導電層；

在所述下導電層上形成填充所述接觸孔的核心層；以及

回蝕所述下導電層和所述核心層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述核心層包括具有高于所述下導電層的電阻的材料。

11.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在形成所述下電極之前，在所述接觸孔的所述側壁上形成接觸隔片。

12.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在所述襯底上形成字線；

在所述字線上的所述接觸孔中形成二極管；以及

在所述二極管上形成所述下電極。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括：

在所述二極管上形成二極管電極；以及

在所述二極管電極上形成所述下電極。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述二極管電極包括Ti、TiSi、TiN、TiON、TiW、TiAlN、TiAlON、TiSiN、TiBN、W、WN、WON、WSiN、WBN、WCN、Si、Ta、TaSi、TaN、TaON、TaAlN、TaSiN、TaCN、Mo、MoN、MoSiN、MoAlN、NbN、ZrSiN、ZrAlN、Ru、CoSi、NiSi、導電碳材料、Cu或其組合物。

15.一種制造半導體存儲器件的方法，包括：

在襯底上形成具有中間接觸孔的中間絕緣層；

在所述中間接觸孔中形成下電極；

形成覆蓋所述下電極和所述中間絕緣層的上絕緣層；

在所述下電極上形成穿過所述上絕緣層的上接觸孔；

形成部分地填充所述上接觸孔的相變圖形；以及

在所述上絕緣層上方形成位線，該位線包括相對于所述相變圖形自對準并接觸所述相變圖形的位延伸。

16.根據權利要求15所述的方法，其中形成所述下電極包括：

形成覆蓋所述中間接觸孔的側壁和底部以及所述中間絕緣層的下導電層；

在所述下導電層上形成核心層；以及

平整所述下導電層和所述核心層。