[發明專利]塊修復裝置及其方法

無效

• 申請號: 200810093049.0
• 申請日: 2008-04-15
• 公開（公告）號: CN101425343A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 金生煥
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44;G11C17/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 錢大勇

技術領域

本公開涉及半導體存儲器件，而且更具體地，涉及用于動態隨機存取存 儲器(DRAM)單元的塊修復裝置及其方法。

背景技術

圖1示出傳統DRAM單元的框圖，圖2示出傳統位線讀出放大器的電 路圖，而圖3示出傳統DRAM中的塊隔離控制單元的電路圖。

參照圖1至3，由于上部和下部單元塊共享讀出放大器，通常使用位線 隔離(BIS)載體(bearer)以減少位線負荷。同樣，由于將未選擇塊的位線 預充電到位線預充電電壓VBLP，每個位線讀出放大器中包括用于將位線預 充電到位線預充電電壓VBLP的電路。未選擇塊的BIS應當處于高電平以使 得位線被預充電，而且BIS應當被控制以使得已選擇塊的讀出放大器不影響 相鄰塊的位線。

圖4示出傳統DRAM單元中的電短路，而且示出位線與字線之間的短 路缺陷，而不是單元缺陷。該情況下，所述DRAM單元可以由缺陷位線或 字線修復電路修復，但是無法避免因電短路帶來的電流消耗。這是因為當塊 未被選擇時總是激活信號BIS_UP或BIS_DN以預充電位線。如果電流消耗 不大，則無關緊要。然而，當電流消耗超過靜態電流或VBLP產生裝置的極 限時，就成為故障產品。

可以通過包括冗余單元并利用所述冗余單元替換缺陷單元來大大提高 傳統DRAM的出產率。然而，當因單元塊中的電短路帶來的電流消耗超過 臨界值時，所述單元無法被修復。

發明內容

本公開的各種實施例針對塊修復裝置及其方法，其用于在單元塊中發生 電短路時通過將整個塊電隔離并用冗余單元塊替換所述單元塊來修復電短 路。

在本公開的一個方面中，一種塊修復裝置包括：多個單元塊；塊修復熔 絲，配置用于輸出所述多個單元塊的修復信號；塊隔離控制單元，配置用于 響應于所述塊修復信號輸出控制信號，以激活所述多個單元塊、或將所述多 個單元塊中的缺陷單元塊電隔離；以及塊修復選擇器，配置用于響應于單元 塊地址信號輸出塊修復選擇信號，以用另外的單元塊替換所述缺陷單元塊。

在另一個方面中，一種塊修復裝置包括：多個單元塊，配置用于存儲數 據；冗余單元塊，配置用于替換所述多個單元塊中的缺陷單元塊；塊修復熔 絲，配置用于禁用所述缺陷單元塊；塊隔離控制單元，配置用于響應于所述 塊修復熔絲的輸出信號激活所述多個單元塊和所述冗余單元塊、并將所述缺 陷單元塊電隔離；以及塊修復選擇器，配置用于響應于單元塊地址信號輸出 塊修復選擇信號，以用所述冗余單元塊替換所述缺陷單元塊。

在另一個方面中，一種塊修復方法包括：利用測試模式信號檢測多個單 元塊中的特定塊的電短路；當確定所述多個單元塊中有缺陷單元塊時，利用 塊隔離控制單元將所述缺陷單元塊電隔離；當輸入單元塊地址信號時，利用 塊修復選擇器確定所述單元塊地址信號是否為所述缺陷單元塊的地址信號； 以及當所述單元塊地址信號為所述缺陷單元塊的地址信號時，利用所述塊隔 離控制單元用冗余單元塊替換所述缺陷單元塊。

附圖說明

圖1示出傳統DRAM單元的框圖；

圖2示出傳統位線讀出放大器的電路圖；

圖3示出傳統DRAM中的塊隔離控制單元的電路圖；

圖4示出傳統DRAM單元中的電短路；

圖5示出根據本公開的示范性實施例的DRAM單元的塊修復裝置的框 圖；

圖6和7示出根據本公開的示范性實施例的塊修復裝置的電路圖和示意 圖；

圖8示出圖6和7中所示的塊修復裝置中的塊隔離控制單元的電路；

圖9A示出根據圖6和7的示范性實施例的VDD電平關于信號Power_b 的曲線圖；

圖9B示出圖6和7的塊修復裝置中的塊修復熔絲的電路圖；

圖10示出圖7的塊修復裝置中的塊修復選擇器的電路圖；

圖11示出根據本公開的另外的示范性實施例的塊修復裝置的框圖。

具體實施方式

以下將參照附圖通過示例和示范性實施例描述本發明。

圖5示出根據本公開的示范性實施例的DRAM單元的塊修復裝置的框 圖。