[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片的接合方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810092994.9
• 申請日: 2008-04-22
• 公開（公告）號: CN101295654A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉重希;余振華;米玉杰;孫元成
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳晨;吳世華

1.一種半導(dǎo)體芯片的接合方法，包括：

提供一真空環(huán)境于一真空環(huán)境處理室中；

在該真空環(huán)境處理室中執(zhí)行一處理，其包括在該半導(dǎo)體芯片上至少進行氫氣熱退火、氫氣等離子體處理與氨等離子體處理其中之一；以及

將該半導(dǎo)體芯片與另一半導(dǎo)體芯片接合。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的接合方法，在接合前還包括將半導(dǎo)體芯片從該真空環(huán)境處理室移進一接合室。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的接合方法，其中該另一半導(dǎo)體芯片為形成在一半導(dǎo)體晶片上的半導(dǎo)體芯片。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的接合方法，在該處理前還包括一化學(xué)浸泡。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體芯片的接合方法，其中該化學(xué)浸泡包括檸檬酸。

6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體芯片的接合方法，其中該化學(xué)浸泡包括鹽酸。

7.一種半導(dǎo)體芯片的接合方法，包括：

形成多個芯片于一第一半導(dǎo)體晶片上；

形成多個第二芯片于一第二半導(dǎo)體晶片上；

放置該第二半導(dǎo)體晶片于一真空環(huán)境處理室中；

提供一真空于該真空環(huán)境處理室中；

執(zhí)行一處理于該真空環(huán)境處理室中，該處理包括在該第二半導(dǎo)體晶片上至少進行氫氣熱退火、氫氣等離子體處理與氨等離子體處理其中之一；

將該第二半導(dǎo)體晶片的芯片對齊于該第一半導(dǎo)體晶片的芯片；以及

將該第一半導(dǎo)體晶片和該第二半導(dǎo)體晶片進行加熱，且將該第一半導(dǎo)體晶片上的芯片與該第二芯片接合。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片的接合方法，在接合前還包括切割該第二晶片上的該第二芯片。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體芯片的接合方法，還包括選擇良好的該第二芯片以進行接合。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體芯片的接合方法，還包括將該第二芯片固定于一載體。

11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片的接合方法，還包括蝕刻該第二半導(dǎo)體晶片的接合面以提升欲接合的導(dǎo)體的輪廓。

12.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片的接合方法，在該真空環(huán)境處理前還包括執(zhí)行一化學(xué)浸泡。