[發明專利]三族氮化合物半導體發光組件的制造方法及其結構

無效

• 申請號: 200810092845.2
• 申請日: 2008-05-04
• 公開（公告）號: CN101572283A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 涂博閔;黃世晟;林文禹;徐智鵬;詹世雄
• 申請（專利權）人: 先進開發光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 吳小瑛;劉春生

1.一種三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，包括下列步驟：

于一原始基板的表面生長一第一三族氮化合物半導體層；

于該第一三族氮化合物半導體層上形成一圖案化的外延阻斷層；

于該外延阻斷層及無覆蓋的該第一三族氮化合物半導體層上生長一第二三族氮化合物半導體層；

移除該外延阻斷層；

于該第二三族氮化合物半導體層上生長一第三三族氮化合物半導體層；

于該第三三族氮化合物半導體層上形成一導電材料層；以及

將該第三三族氮化合物半導體層及導電材料層從該第二三族氮化合物半導體層分離。

2.根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其中該外延阻斷層為一二氧化硅。

3.根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其還包括在該第三三族氮化合物半導體層及該導電材料層之間形成一金屬鏡面層的步驟。

4.根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其中該導電材料層為利用電鍍或復合電鍍沉積的銅、鎳或鎢銅合金。

5.根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其中該原始基板的材料為藍寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氧化鎂及砷化鎵。

6.根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其中該第二三族氮化合物半導體層為利用濕蝕刻而分解，從而使得該第三三族氮化合物半導體層及該導電材料層的組合體能和該原始基板分離。

7.根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其還包括介于該第三三族氮化合物半導體層及該金屬鏡面層之間形成一N型半導體材料層、一有源層及一P型半導體材料層的步驟。

8.根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其中該圖案化的外延阻斷層為包含多個凸部及多個介于該多個凸部中間的溝槽。

9.根據權利要求8的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其中該多個凸部為六角柱體、圓柱體或四方柱體，該多個溝槽分別圍繞各該凸部周圍。

10.根據權利要求8的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其中該多個凸部為狹長條狀物，該多個溝槽分隔相鄰該凸部。

11.根據權利要求3的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其還包括于該導電材料層及該金屬鏡面層表面施以一蝕刻保護層的步驟。

12.根據權利要求1的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其中該第二三族氮化合物半導體層為呈香菇狀或香菇條狀的結構物立設于該第一三族氮化合物半導體層上。

13.根據權利要求12的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其中該第三三族氮化合物半導體層會自該第二三族氮化合物半導體層的各香菇狀結構物兩側橫向生長并互相接合。

14.根據權利要求12的三族氮化合物半導體發光組件的制造方法，其中該第三三族氮化合物半導體層可利用控制生長條件而改變該香菇狀結構物的形狀。

15.一種三族氮化合物半導體發光組件，包括：

一三族氮化合物半導體層；

形成于該三族氮化合物半導體層上的一金屬鏡面層；以及形成于該金屬鏡面層上的一導電材料層。

16.根據權利要求15的三族氮化合物半導體發光組件，其中該三族氮化合物半導體層的材料為Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1及0≤y≤1。

17.根據權利要求15的三族氮化合物半導體發光組件，其中該導電材料層為利用電鍍或復合電鍍沉積的銅、鎳或鎢銅合金。

18.根據權利要求15的三族氮化合物半導體發光組件，其還包括于該三族氮化合物半導體層及該金屬鏡面層的間設有一N型半導體材料層、一有源層及一P型半導體材料層。