[發明專利]圖案化金屬層及薄膜晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 200810092803.9
• 申請日: 2008-04-28
• 公開（公告）號: CN101572215A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 廖金龍;何家充
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/84;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種圖案化金屬層制作方法，其特征在于，所述圖案化金屬層制作方法包括：

提供一具有一轉印犧牲層的一第一基板，所述第一基板對于特定波長的激光具有透光性，所述轉印犧牲層對于所述特定波長的激光具有光熱轉換特性；

形成一金屬層于所述轉印犧牲層上；

將所述第一基板置于一第二基板上方，以使所述金屬層接近或接觸所述第二基板；

利用所述特定波長的激光以激光轉印方式將所述金屬層圖案化轉印至所述第二基板；

移去所述第一基板；及

移除殘留在所述被轉印圖案化金屬層上的所述轉印犧牲層。

2.如權利要求1所述的圖案化金屬層制作方法，其特征在于，所述轉印犧牲層包含聚乙烯醇。

3.如權利要求1所述的圖案化金屬層制作方法，其特征在于，所述激光轉印步驟中以計算機控制多道激光光束行進方向，并且所述這些激光光束行進方向依轉印在所述第二基板上的所述金屬層圖案而定。

4.如權利要求1所述的圖案化金屬層制作方法，其特征在于，所述第一基板與所述第二基板間設有多個間隔元件。

5.如權利要求1所述的圖案化金屬層制作方法，其特征在于，所述金屬層是以蒸發或濺射方式形成于所述轉印犧牲層上。

6.如權利要求2所述的圖案化金屬層制作方法，其特征在于，是以溶劑除去殘留在所述第二基板上的所述轉印犧牲層。

7.如權利要求1所述的圖案化金屬層制作方法，其特征在于，所述第二基板為可撓性基板。

8.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的制作方法包括：

提供一具有一轉印犧牲層的第一基板，所述第一基板對于特定波長的激光具有透光性，所述轉印犧牲層對于所述特定波長的激光具有光熱轉換特性；

形成一金屬層于所述轉印犧牲層上；

將所述第一基板置于一第二基板上方，使所述金屬層接近或接觸所述第二基板；

利用所述特定波長的激光以激光轉印方式將所述金屬層圖案化轉印至所述第二基板上，以形成一柵極電極圖案于所述第二基板上；

移去所述第一基板；

移除殘留在所述柵極電極圖案上的所述轉印犧牲層；

形成一圖案化絕緣層于所述柵極電極圖案上，其中部分所述圖案化絕緣層供做柵極絕緣層；

重復前述第一至第三步驟，并利用激光轉印方式形成一金屬導線圖案于所述圖案化絕緣層上；

移去所述第一基板；

移除殘留在所述金屬導線圖案上的所述轉印犧牲層；

形成一圖案化半導體主動層于所述圖案化絕緣層上，所述圖案化半導體主動層對應所述柵極電極圖案；

重復前述第一至第三步驟，并利用激光轉印方式形成一源極/漏極圖案于所述圖案化半導體主動層上方；

移去所述第一基板；及

移除殘留在所述源極/漏極圖案上的所述轉印犧牲層。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述轉印犧牲層包含聚乙烯醇。

10.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述這些激光轉印步驟以計算機控制多道激光光束行進方向，并且所述這些激光光束行進方向依序視轉印在所述第二基板上的所述柵極電極圖案、所述金屬導線圖案及所述源極/漏極圖案而定。

11.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一基板與所述第二基板之間設有多個間隔元件。

12.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述金屬層以蒸發或濺射方式形成于所述轉印犧牲層上。

13.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，是以溶劑除去殘留在所述第二基板上的所述轉印犧牲層。

14.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述圖案化半導體主動層包含有機分子材料。

15.如權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第二基板為可撓性基板。