[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝基板及其制法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810092649.5 | 申請(qǐng)日： | 2008-04-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101567355A | 公開（公告）日： | 2009-10-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡文宏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 全懋精密科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/498 | 分類號(hào)： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 戈 泊 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 及其 制法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，包括：
基板本體，至少一表面具有多個(gè)電性連接墊及多條線路；
多個(gè)導(dǎo)電柱，分別完全包覆各該電性連接墊；以及
絕緣保護(hù)層，形成于該基板本體表面，且具有顯露部以露出該導(dǎo) 電柱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于：該基板 本體表面還包括有介電層，于該介電層表面具有該電性連接墊及線路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于：還包括 該基板本體的介電層與電性連接墊之間具有一導(dǎo)電層，以及介電層與 線路之間具有一導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于：該顯露 部為多個(gè)未貫穿該絕緣保護(hù)層的凹部，以對(duì)應(yīng)露出各該導(dǎo)電柱的頂面 及其周圍側(cè)表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于：該顯露 部為多個(gè)貫穿該絕緣保護(hù)層的開孔，并露出該基板本體部分表面，以 對(duì)應(yīng)完全露出各該導(dǎo)電柱的頂面及側(cè)表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于：該顯露 部為一未貫穿該絕緣保護(hù)層的凹陷區(qū)，以露出各該導(dǎo)電柱的頂面及其 周圍側(cè)表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于：該顯露 部為一貫穿該絕緣保護(hù)層的開槽，并露出該基板本體部分表面，以完 全露出各該導(dǎo)電柱的頂面及側(cè)表面。
8.一種半導(dǎo)體封裝基板的制法，其特征在于，包括：
提供至少一表面具有多個(gè)電性連接墊及多條線路的基板本體；
于各該電性連接墊表面上形成有一導(dǎo)電柱，使該導(dǎo)電柱完全包覆 該電性連接墊的頂面及側(cè)表面；以及
于各該基板本體表面形成一絕緣保護(hù)層，且該絕緣保護(hù)層表面形 成顯露部，通過該顯露部以露出各該導(dǎo)電柱。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝基板的制法，其特征在于， 該電性連接墊及線路的制造工藝包括：
提供一表面具有介電層的基板本體；
于該介電層表面形成一導(dǎo)電層；
于該導(dǎo)電層上形成一第一阻層，且于該第一阻層中形成多個(gè)開口 以露出部分的導(dǎo)電層；以及
于各該開口中電鍍形成該電性連接墊及線路。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝基板的制法，其特征在于： 該導(dǎo)電柱的制造工藝包括：
移除該第一阻層；
于該導(dǎo)電層上形成有一第二阻層，且于該第二阻層中對(duì)應(yīng)該電性 連接墊位置形成有開孔，以完全露出該電性連接墊的頂面及側(cè)表面； 以及
于各該開孔中的電性連接墊表面形成該導(dǎo)電柱。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝基板的制法，其特征在于： 還包括移除該第二阻層及其所覆蓋的導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝基板的制法，其特征在于： 該顯露部為多個(gè)未貫穿該絕緣保護(hù)層的凹部，從而以對(duì)應(yīng)露出各該導(dǎo) 電柱的頂面及其周圍側(cè)表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝基板的制法，其特征在于： 該顯露部為多個(gè)貫穿該絕緣保護(hù)層的開孔，并露出該基板部分表面， 以對(duì)應(yīng)完全露出各該導(dǎo)電柱的頂面及側(cè)表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝基板的制法，其特征在于： 該顯露部為一未貫穿該絕緣保護(hù)層的凹陷區(qū)，以露出各該導(dǎo)電柱的頂 面及其周圍側(cè)表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝基板的制法，其特征在于： 該顯露部為一貫穿該絕緣保護(hù)層的開槽，并露出該基板本體部分表面， 以完全露出各該導(dǎo)電柱的頂面及側(cè)表面。
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