[發明專利]光電轉換裝置和圖像拾取設備有效
| 申請號: | 200810092645.7 | 申請日: | 2008-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN101290943A | 公開(公告)日: | 2008-10-22 |
| 發明(設計)人: | 黑田享裕;渡邊高典 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/528;H04N5/225 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 康建忠 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 轉換 裝置 圖像 拾取 設備 | ||
1.一種包含配置在阱中的單位單元的光電轉換裝置,其中,每一個單位單元包含多個光電轉換元件、放大器晶體管、以及配置在光電轉換元件和放大器晶體管的柵電極之間的多個傳輸晶體管,其中,所述單位單元包含:
被配置為給阱供給電壓的阱電壓供給線;
用于連接阱電壓供給線的阱接觸部分;和
被配置為分別控制傳輸晶體管的多條傳輸控制線,
其中,在單位單元的區域中,所述多條傳輸控制線相對于所述阱電壓供給線對稱配置。
2.根據權利要求1的光電轉換裝置,其中,
所述阱電壓供給線和所述多條傳輸控制線相互平行,并且,
在單位單元的所述區域中,所述放大器晶體管被配置為使得虛擬線延伸穿過所述放大器晶體管的柵電極,以使所述虛擬線與所述阱電壓供給線和所述多條傳輸控制線平行并延伸穿過所述阱接觸部分。
3.根據權利要求1的光電轉換裝置,其中,
所述光電轉換元件至少包含第一光電轉換元件和第二光電轉換元件,并且,
在單位單元的所述區域中,所述第一和第二光電轉換元件被設置在同一活性區域中。
4.根據權利要求1的光電轉換裝置,其中,
所述單位單元還包含:
被配置為將所述放大器晶體管的柵電極的電位復位的復位晶體管;和
被配置為控制所述復位晶體管的復位信號線,
其中,所述阱電壓供給線、所述多條傳輸控制線和所述復位信號線相互平行,并且,
兩個相鄰單位單元的各自的復位信號線相對于設置在所述兩條復位信號線之間的阱電壓供給線對稱配置。
5.根據權利要求1的光電轉換裝置,其中,
所述單位單元還包含:
被配置為將所述放大器晶體管的柵電極的電位復位的復位晶體管;和
被配置為控制所述復位晶體管的復位信號線,
其中,所述阱電壓供給線、所述多條傳輸控制線和所述復位信號線相互平行,
所述復位信號線和相鄰的單位單元的復位信號線相對于設置在所述兩條復位信號線之間的阱電壓供給線對稱配置,并且,
所述復位晶體管被設置在相鄰的單位單元的各自區域的端部上。
6.根據權利要求1的光電轉換裝置,其中,在單位單元的區域中,所述多個光電轉換元件相對于所述阱電壓供給線對稱配置。
7.根據權利要求1的光電轉換裝置,其中,在各個單位單元中設置的光電轉換元件的數量是四個。
8.一種圖像拾取設備,包括:
包含配置在阱中的單位單元的光電轉換裝置,每一個單位單元包含多個光電轉換元件、放大器晶體管、以及配置在光電轉換元件與放大器晶體管的柵電極之間的多個傳輸晶體管,其中,所述單位單元包含:
被配置為給阱供給電壓的阱電壓供給線;
用于連接阱電壓供給線的阱接觸部分;和
被配置為分別控制傳輸晶體管的多條傳輸控制線,
其中,在單位單元的區域中,所述多條傳輸控制線相對于所述阱電壓供給線對稱配置;和
被配置為處理由光電轉換裝置所提供的信號的處理電路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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