[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810092602.9
• 申請(qǐng)日: 2008-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN101290963A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大野彰仁;藏本恭介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 閆小龍;劉宗杰

1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

具有：p型接觸層；p型中間層，形成在所述p型接觸層的下層；p型覆蓋層，形成在所述p型中間層的下層，

所述p型接觸層與所述p型中間層間、以及所述p型中間層與所述p型覆蓋層間的帶隙差分別為200meV以下。

2.如權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

所述p型接觸層是摻雜有Mg的In_yAl_zGa_1-y-zN，其中，0≤y，0≤z，y+z＜1，

所述p型中間層是摻雜有Mg的Al_x1Ga_1-X1N，其中，0≤x₁≤1，

所述p型覆蓋層是摻雜有Mg的Al_x2Ga_1-X2N，其中，0≤x₂≤1。

3.如權(quán)利要求2的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

所述p型接觸層為GaN，

所述p型接觸層的Mg濃度是1×10²⁰cm^-3～1×10²¹cm^-3。

4.如權(quán)利要求2的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

所述p型中間層的Mg濃度是1×10¹⁸cm^-3～1×10¹⁹cm^-3。

5.如權(quán)利要求2的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

所述p型中間層的Mg濃度比所述p型接觸層以及所述p型覆蓋層的Mg濃度低。

6.如權(quán)利要求2的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

所述p型中間層的成分是GaN。