[發明專利]一種制備高頻軟磁薄膜的方法及裝置

無效

• 申請號: 200810092468.2
• 申請日: 2008-04-10
• 公開（公告）號: CN101260514A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 薛德勝;范小龍
• 申請（專利權）人: 蘭州大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/14;C23C14/54
• 代理公司: 蘭州振華專利代理有限責任公司
• 代理人: 張晉

1.一種制備軟磁薄膜的方法，采用射頻磁控濺射法，其特征是在基片上濺射磁性金屬靶材的同時還在基片上濺射少許非磁性金屬材料，其中濺射到基片上的非磁性金屬與濺射的磁性金屬之原子百分比為3～20。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征是濺射的非磁性金屬為Zr或Nb或Hf或Ta或Ti或V中的任一種或任幾種的組合。

3.采用權利要求1所述的制備時，對制品材料的截止頻率進行控制的方法，其特征是在進行濺射時，改變靶中心到基片中心的連線與靶法線的夾角，可得到具有不同截止頻率的磁性薄膜材料。

4.權利要求1或2或3所述的方法使用的裝置，由真空系統，射頻電源系統和射頻靶組成，其特征是濺射靶材為復合靶，即在現有的被濺射磁性金屬靶材上設置有非磁性純金屬片。

5.根據權利要求4所述的濺射裝置，其特征是復合靶上的每個非磁性純金屬片的直徑與磁性金屬靶片直徑比為0.03～0.15，所放置的非磁性純金屬片數量為2至16個。