[發(fā)明專利]燒制用裝架和蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810092443.2 | 申請日： | 2008-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN101318826A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 西城貴滿 | 申請（專利權(quán)）人： | 揖斐電株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/64 | 分類號： | C04B35/64;C04B41/85;C04B35/66;C04B38/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 丁香蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 燒制 用裝架 蜂窩 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種燒制用裝架，該燒制用裝架是由架體和涂層組成的蜂窩成型體燒制用裝架，所述架體用于安放以碳化硅為主要成分的柱狀蜂窩成型體，并且該柱狀蜂窩成型體以側(cè)面向下的方式安放，所述涂層至少形成在所述架體的安放所述蜂窩成型體的安放面上，其特征在于，所述涂層的主要成分為碳化硅，基于JIS?B?0601(2001)求出的所述涂層的算術(shù)平均高度Ra為10μm以下。
2.如權(quán)利要求1所述的燒制用裝架，其中，所述涂層是利用氣相法形成的致密層。
3.如權(quán)利要求2所述的燒制用裝架，其中，所述氣相法是化學(xué)氣相滲透法。
4.如權(quán)利要求1～3任一項所述的燒制用裝架，其中，所述涂層形成在所述架體的整個表面上。
5.如權(quán)利要求1或4所述的燒制用裝架，其中，所述涂層是對由SiC涂層形成材料構(gòu)成的SiC涂層進(jìn)行研磨而形成的。
6.如權(quán)利要求5所述的燒制用裝架，其中，所述SiC涂層形成材料是以氫化聚碳硅烷為主要成分的聚合物、含有SiC顆粒和SiO2顆粒的混合物、含有表面形成了SiO2膜的SiC顆粒的原料、或者含有Si和C的混合物。
7.如權(quán)利要求1、4、5、6中任一項所述的燒制用裝架，其中，所述涂層由再結(jié)晶SiC或反應(yīng)燒結(jié)SiC構(gòu)成。
8.一種蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其是制造由蜂窩燒制體構(gòu)成的蜂窩結(jié)構(gòu)體的方法，在該方法中，
對以碳化硅為主要成分的陶瓷原料進(jìn)行成型，制作柱狀的蜂窩成型體，所述蜂窩成型體在長度方向隔著貫通孔壁形成有2個以上貫通孔；
對所述蜂窩成型體進(jìn)行脫脂；
對脫脂后的所述蜂窩成型體進(jìn)行燒制來制作所述蜂窩燒制體；
所述方法的特征在于，
將所述蜂窩成型體安放在燒制用裝架中來對所述蜂窩成型體進(jìn)行燒制；
所述燒制用裝架由架體和涂層構(gòu)成，所述架體用于安放所述蜂窩成型體，并且所述蜂窩成型體以側(cè)面向下的方式安放，所述涂層至少形成在所述架體的安放所述蜂窩成型體的安放面上；
所述涂層的主要成分是碳化硅；
基于JIS?B?0601(2001)求出的所述涂層的算術(shù)平均高度Ra為10μm以下。
9.如權(quán)利要求8所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述涂層是利用氣相法形成的致密層。
10.如權(quán)利要求9所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述氣相法是化學(xué)氣相滲透法。
11.如權(quán)利要求8～10任一項所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述涂層形成在所述架體的整個表面上。
12.如權(quán)利要求8～11任一項所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，將所述蜂窩成型體隔著由碳構(gòu)成的間隔物安放在所述燒制用裝架中。
13.如權(quán)利要求8～12任一項所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，對所述蜂窩成型體進(jìn)行脫脂時也使用所述燒制用裝架，
將所述蜂窩成型體安放在所述燒制用裝架中來對所述蜂窩成型體進(jìn)行脫脂，
在脫脂后的所述蜂窩成型體被安放在所述燒制用裝架中的狀態(tài)下來對所述蜂窩成型體進(jìn)行燒制。
14.如權(quán)利要求8、11、12、13中任一項所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述涂層是對由SiC涂層形成材料構(gòu)成的SiC涂層進(jìn)行研磨而形成的。
15.如權(quán)利要求14所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述SiC涂層形成材料是以氫化聚碳硅烷為主要成分的聚合物、含有SiC顆粒和SiO2顆粒的混合物、含有表面形成了SiO2膜的SiC顆粒的原料、或者含有Si和C的混合物。
16.如權(quán)利要求8、11、12、13、14、15中任一項所述的蜂窩結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述涂層由再結(jié)晶SiC或反應(yīng)燒結(jié)SiC構(gòu)成。
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