[發(fā)明專利]有源矩陣基板、其制造方法、電光裝置、其制造方法及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810092381.5
• 申請(qǐng)日: 2008-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN101295680A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 守谷壯一;川瀨健夫;宮本勉;中村潔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L21/768;H01L27/28;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/167
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種有源矩陣基板的制造方法，該有源矩陣基板包括：基板；多根源 線；多根柵線；多個(gè)像素電極；以及對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)像素電極中的一個(gè)像 素電極而設(shè)置的薄膜晶體管；上述薄膜晶體管電連接于上述多根源線中的 一根源線和上述多根柵線中的一根柵線，該方法的特征在于，包括：

第1步驟，其中，通過有機(jī)導(dǎo)電性材料，形成與上述多根源線及上述多 根柵線的任意一方同一層的、且使上述多根源線和上述多根柵線相互導(dǎo)通 的導(dǎo)通部；和

通過采用強(qiáng)酸的氧化反應(yīng)使得上述導(dǎo)通部的上述有機(jī)導(dǎo)電性材料的至 少一部分成為劣化狀態(tài)，由此使之改性為絕緣性來(lái)斷開上述導(dǎo)通部的導(dǎo)通 的第2步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，在上 述第1步驟中，通過印刷法形成上述導(dǎo)通部。

3.一種有源矩陣基板的制造方法，該有源矩陣基板包括：基板；多根源 線；多根柵線；多個(gè)像素電極；以及對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)像素電極中的一個(gè)像 素電極而設(shè)置的薄膜晶體管；上述薄膜晶體管電連接于上述多根源線中的 一根源線和上述多根柵線中的一根柵線，該方法的特征在于，包括：

在作為導(dǎo)電部的基板上，形成絕緣層的第3步驟；

在上述絕緣層上形成上述多根源線和上述多根柵線的第4步驟；

使上述多根源線和上述多根柵線，經(jīng)由接觸部與上述導(dǎo)電部導(dǎo)通的第5 步驟；以及

將上述多根源線和上述多根柵線的導(dǎo)通斷開的第6步驟。

4.一種有源矩陣基板，其包括：

基板；

多根源線；

多根柵線；

多個(gè)像素電極；以及

對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)像素電極中的一個(gè)像素電極而設(shè)置的薄膜晶體管；

上述薄膜晶體管電連接于上述多根源線中的一根源線和上述多根柵線 中的一根柵線；

該有源矩陣基板的特征在于：

具備將上述多根源線和上述多根柵線相互連接的連接部；

上述連接部是已通過采用強(qiáng)酸的氧化反應(yīng)使得有機(jī)導(dǎo)電性材料的至少 一部分成為劣化狀態(tài)來(lái)使其改性為絕緣性的部分。

5.一種有源矩陣基板，其包括：

作為導(dǎo)電部的基板；

形成于上述基板上的絕緣層；

形成于上述絕緣層上的多根源線和多根柵線；

形成于上述絕緣層上的多個(gè)像素電極；以及

對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)像素電極中的一個(gè)像素電極而設(shè)置的薄膜晶體管；

上述薄膜晶體管電連接于上述多根源線中的一根源線和上述多根柵線 中的一根柵線；

該有源矩陣基板的特征在于，包括：

接觸部，該接觸部設(shè)置于上述絕緣層，用于經(jīng)由上述導(dǎo)電部使上述多 根源線和上述多根柵線相互導(dǎo)通；以及

切斷部，該切斷部切斷上述多根源線和上述多根柵線的導(dǎo)通。

6.一種電光裝置，其特征在于，具有在權(quán)利要求4或5所述的有源矩陣 基板和對(duì)向基板之間夾持有電光材料的顯示元件。

7.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求6所述的電光裝置。