[發明專利]改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構及其方法

無效

• 申請號: 200810092255.X
• 申請日: 2008-04-17
• 公開（公告）號: CN101295683A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 楊文焜;林殿方
• 申請（專利權）人: 育霈科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/36
• 分類號: H01L23/36;H01L23/552;H01L21/50
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 梁愛榮

1.一種用以改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構，其特征在于，包含：

一基板，具有至少一第一接觸墊與一通孔形成于該基板內；

一金屬層，形成于該基板下部表面處，并通過該通孔耦合至該第一接觸墊，用以散熱與接地屏蔽；

一晶粒，具有至少一焊墊，通過一具有高導熱的黏著材料附著于該第一接觸墊上；

一介電層，形成于該晶粒與形成于該基板的上部表面處的一第二接觸墊上；

一重布層，形成于該晶粒上方并耦合至該焊墊，用以電性連接；且

一錫球，形成于該基板的該上部表面上的該第二接觸墊。

2.如權利要求1所述用以改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構，其特征在于，還包含一保護層，形成于該重布層上；其中該保護層材質包括聚亞酰胺樹脂化合物、硅膠。

3.如權利要求1所述用以改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構，其特征在于，其中所述的該金屬層的材質包括散熱材料；以及該金屬層可作為天線。

4.如權利要求1所述用以改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構，其特征在于，其中所述的第二接觸墊亦形成于該基板下部表面上，堆棧另一半導體裝置封裝結構，用以形成一層迭封裝結構。

5.如權利要求1所述用以改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構，其特征在于，其中所述基板的材質包括FR5/FR4/BT或金屬/合金。

6.一種用以制造改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構的方法，其特征在于，包含：

提供一基板，該基板具有至少一第一接觸墊、一第二接觸墊以及一通孔；

配置一黏著材料于具有一焊墊的晶粒背面上；附著該晶粒于該第一接觸墊；

形成增層以耦合該第二接觸墊與該焊墊；

通過涂布或印刷方式形成一頂部保護層于該晶粒與該基板上；

置放一錫球于該第二接觸墊上；且

回焊該錫球，用以形成該錫球于該第二接觸墊上。

7.如權利要求6所述用以制造改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構的方法，其特征在于，還包含設置該晶粒與該基板，而后附著該基板的該錫球至印刷電路板的連接墊，用以形成一覆晶結構于該基板與該印刷電路板之間，其中該基板的該第一接觸墊構成一用于該晶粒的電磁屏蔽。

8.如權利要求6所述用以制造改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構的方法，其特征在于，還包含堆棧另一半導體封裝結構于該半導體封裝結構上，用以形成一層迭封裝結構。

9.如權利要求6所述用以制造改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構的方法，其特征在于，其中所述的基板包括FR4/FR5/BT基板或金屬/合金基板；以及其中該保護層材質包括聚亞酰胺樹脂化合物、硅膠。

10.如權利要求6所述用以制造改善散熱與接地屏蔽功能的半導體裝置封裝結構的方法，其特征在于，還包含涂布一材料層，用以消除由該晶粒所產生的熱能。