[發明專利]平板顯示器的玻璃基底的蝕刻設備和蝕刻玻璃基底的方法有效
| 申請號: | 200810092186.2 | 申請日: | 2008-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN101286445A | 公開(公告)日: | 2008-10-15 |
| 發明(設計)人: | 崔浩根;金龍佑;李明基;金八坤 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社;FNS技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;C03C15/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 韓明星;羅延紅 |
| 地址: | 韓國京畿道*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平板 顯示器 玻璃 基底 蝕刻 設備 方法 | ||
1、一種平板顯示器的玻璃基底的蝕刻設備,所述蝕刻設備包括:
蝕刻室,被構造成容納夾具;
玻璃基底,設置在夾具上;
夾持構件,連接到夾具,以夾持玻璃基底;
傳送線,連接到夾具,以將夾具傳送到蝕刻室中;
噴射構件,將蝕刻劑噴射到玻璃基底的表面上,
其中,蝕刻劑的噴射壓強等于或大于0.1kg/cm2,且小于0.5kg/cm2。
2、如權利要求1所述的蝕刻設備,其中,噴射構件設置在蝕刻室中。
3、如權利要求2所述的蝕刻設備,還包括連接到蝕刻室以移動蝕刻室的驅動部分。
4、如權利要求1所述的蝕刻設備,其中,噴射構件包括沿著順時針方向和逆時針方向中的至少一個方向旋轉的噴嘴。
5、如權利要求1所述的蝕刻設備,其中,蝕刻劑包括氟酸、磷酸和硝酸中的一種。
6、如權利要求1所述的蝕刻設備,其中,噴射構件和玻璃基底之間的距離大于100mm,并且等于或小于150mm。
7、如權利要求1所述的蝕刻設備,其中,夾持構件包括:
后夾持銷,連接到至少一個玻璃基底的后表面;
能夠旋轉的前夾持銷,連接到所述至少一個玻璃基底的前表面。
8、如權利要求7所述的蝕刻設備,其中,能夠旋轉的前夾持銷包括具有能夠與夾持構件分離和能夠附于夾持構件中的至少一種能力的結構。
9、如權利要求1所述的蝕刻設備,其中,噴射構件和玻璃基底之間的距離為120mm。
10、如權利要求1所述的蝕刻設備,其中,多條傳送線被安裝在蝕刻室中。
11、一種蝕刻平板顯示器的玻璃基底的方法,所述方法包括以下步驟:
將蝕刻室構造成容納夾具;
將玻璃基底設置在夾具上;
將夾持構件連接到夾具,以夾持玻璃基底;
采用連接到夾具的傳送線將夾具傳送到蝕刻室中;
采用噴射構件將蝕刻劑噴射到玻璃基底的表面上,
其中,蝕刻劑的噴射壓強等于或大于0.1kg/cm2,且小于0.5kg/cm2。
12、如權利要求11所述的方法,其中,將蝕刻劑噴射到玻璃基底的表面上的步驟包括:沿著順時針方向和逆時針方向中的至少一個方向旋轉噴嘴。
13、如權利要求11所述的方法,還包括以下步驟:
將驅動部分連接到蝕刻室;
采用驅動部分移動蝕刻室。
14、如權利要求11所述的方法,其中,噴射構件和玻璃基底之間的距離大于100mm,并且等于或小于150mm。
15、如權利要求11所述的方法,其中,噴射構件和玻璃基底之間的距離為120mm。
16、如權利要求11所述的方法,其中,蝕刻劑包括氟酸、磷酸和硝酸中的一種。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





