[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810092154.2 | 申請(qǐng)日： | 2006-03-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101276803A | 公開（公告）日： | 2008-10-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 大音光市;宇佐美達(dá)矢 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/532 | 分類號(hào)： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 關(guān)兆輝;陸錦華 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 芯片 | ||
1.一種半導(dǎo)體芯片，包括：
半導(dǎo)體襯底；以及
層疊膜，其形成在所述半導(dǎo)體襯底上，包括含碳絕緣膜，所述含碳絕緣膜在端部的碳組分比在內(nèi)部的碳組分低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片，
其中所述含碳絕緣膜在其端部附近包括碳組分朝向內(nèi)部增加的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片，其中所述含碳絕緣膜由SiOC、SiCN或者SiC構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片，還包括與所述含碳絕緣膜接觸的另一絕緣膜，
其中所述含碳絕緣膜在與所述另一絕緣膜接觸的區(qū)域的端部的碳組分比在內(nèi)部的碳組分低。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體芯片，其中所述另一絕緣膜由SiCN或者SiC構(gòu)成。
6.一種半導(dǎo)體芯片，包括：
半導(dǎo)體襯底；以及
層疊膜，其形成在所述半導(dǎo)體襯底上，包括含碳絕緣膜，所述含碳絕緣膜在端部的膜密度比在內(nèi)部的膜密度高。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體芯片，
其中所述含碳絕緣膜在其端部附近包括膜密度朝向內(nèi)部降低的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體芯片，其中所述含碳絕緣膜由SiOC、SiCN或者SiC構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體芯片，還包括與所述含碳絕緣膜接觸的另一絕緣膜，
其中所述含碳絕緣膜在與所述另一絕緣膜接觸的區(qū)域的端部的膜密度比在內(nèi)部的膜密度高。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體芯片，其中所述另一絕緣膜由SiCN或者SiC構(gòu)成。
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