[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及制造方法、使用該半導(dǎo)體裝置的電力變換裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810092129.4 | 申請日： | 2004-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN101271871A | 公開（公告）日： | 2008-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 菅原良孝 | 申請（專利權(quán)）人： | 關(guān)西電力株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/34 | 分類號： | H01L23/34;H01L29/744;H01L29/861;H01L29/30 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李家麟;劉宗杰 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 使用 電力 變換 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：
使用由于基面位錯導(dǎo)致的有疊層缺陷的寬間隙半導(dǎo)體的、在正向特性上具有內(nèi)嵌電壓的寬間隙雙極半導(dǎo)體元件；
容納所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件，并具有用于把所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件連接到外部裝置上的電氣連接部件的半導(dǎo)體封裝；和
把所述半導(dǎo)體封裝內(nèi)的所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件加熱到大于等于50℃的發(fā)熱部件。
2.用于權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的操作方法，包括的步驟如下：
在給寬間隙雙極半導(dǎo)體元件通電前將所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件加熱到50℃或高于50℃，小于200℃的第一溫度。
所述通電開始后，以小于額定電流的外加電流操作所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件直至所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件溫度達到大于等于200℃的第二溫度，以及
當所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件達到第二溫度后，允許所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件加以達到所述額定電流的電流。
3.權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的操作方法，其特征在于，
開始通電后，所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件的溫度除了被所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件自身發(fā)熱提高外，還被所述發(fā)熱部件提高。
4.采用有由于基面位錯導(dǎo)致的有疊層缺陷和在正向特性上具有內(nèi)嵌電壓的寬間隙半導(dǎo)體的寬間隙雙極半導(dǎo)體元件操作方法，包括的步驟如下：
通電開始時，以小于額定電流的外加電流操作所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件直至所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件溫度達到大于等于200℃，以及
當所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件達到大于等于所述200℃的溫度后，允許所述寬間隙雙極半導(dǎo)體元件加以達到所述額定電流的電流。
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