[發明專利]混合閃存裝置、存儲系統以及控制誤差的方法

無效

• 申請號: 200810092059.2
• 申請日: 2008-01-04
• 公開（公告）號: CN101256843A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 裵壹萬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C7/10;G06F11/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邵亞麗

1、一種具有誤差控制和糾正(ECC)能力的混合閃存裝置，并且包括：

控制塊，響應外部提供的命令；

數據存儲塊，包括具有第一閃存單元的第一數據存儲區域和具有第二閃存單元的第二數據存儲區域，其中所述第一閃存單元和第二閃存單元在每個存儲單元存儲不同的數據比特數；和

誤差控制塊，包括用以實現第一誤差控制方案的第一ECC塊和用以實現第二誤差控制方案的第二ECC塊，

其中所述命令指明指向存儲在第一數據存儲區域中的數據的數據存取操作，控制塊選擇第一ECC塊的操作，使得誤差控制塊根據第一誤差控制方案進行操作，并且其中所述命令指明指向存儲在第二數據存儲區域中的數據的數據存取操作，控制塊選擇第二ECC塊的操作，使得誤差控制塊根據該第二誤差控制方案進行操作。

2、根據權利要求1的裝置，其中，每個第一閃存單元存儲1比特數據，并且每個第二閃存單元存儲M比特數據，其中M為大于1的正整數。

3、根據權利要求1的裝置，其中，每個第一閃存單元存儲i比特數據，并且每個第二閃存單元存儲j比特數據，其中i為大于j的正整數。

4、根據權利要求3的裝置，其中i比特數據是2比特數據而j比特數據是3比特數據，或者i比特數據是3比特數據而j比特數據是4比特數據。

5、根據權利要求1的裝置，其中所述誤差控制塊包括分別實現通過控制塊選擇的附加誤差控制方案的附加ECC塊。

6、根據權利要求1的裝置，其中該第一誤差控制方案至少使用Bose、Ray-Chaudhuri、Hocquenghem(BCH)碼或Reed-Solomon(RS)碼之一以控制與存儲在第一閃存單元中的數據相關聯的誤差。

7、根據權利要求1的裝置，其中該第二誤差控制方案至少實現局部讀取方法和最大似然(ML)方法之一以控制與存儲在第二閃存單元中的數據相關聯的誤差。

8、一種存儲系統，包括：

存儲控制器，響應從主機裝置接收的命令來生成數據存取操作，并包括誤差控制塊，該誤差控制塊包括用以實現第一誤差控制方案的第一ECC塊和用以實現第二誤差控制方案的第二ECC塊；以及

閃存裝置，包括數據存儲塊，該數據存儲塊包括具有第一閃存單元的第一數據存儲區域和包括第二閃存單元的第二數據存儲區域，其中所述第一閃存單元和第二閃存單元在每個存儲單元存儲不同的數據比特數，

其中，如果數據存取操作指向存儲在該第一數據存儲區域中的數據，則存儲控制器選擇第一ECC塊的操作，使得誤差控制塊根據第一誤差控制方案進行操作，但是如果數據存取操作指向存儲在第二數據存儲區域中的數據，則存儲控制器選擇第二ECC塊的操作，使得誤差控制塊根據第二誤差控制方案進行操作。

9、根據權利要求8的存儲系統，其中，每個第一閃存單元存儲1比特數據，并且每個第二閃存單元存儲M比特數據，其中M為大于1的正整數。

10、根據權利要求8的存儲系統，其中，每個第一閃存單元存儲i比特數據，并且每個第二閃存單元存儲j比特數據，其中i為大于j的正整數。

11、根據權利要求10的存儲系統，其中i比特數據是2比特數據并且j比特數據是3比特數據，或者i比特數據是3比特數據并且j比特數據是4比特數據。

12、根據權利要求8的存儲系統，其中所述誤差控制塊包括分別實現通過控制塊選擇的附加誤差控制方案的附加ECC塊。

13、根據權利要求8的存儲系統，其中所述第一誤差控制方案至少使用Bose、Ray-Chaudhuri、Hocquenghem(BCH)碼和Reed-Solomon(RS)碼之一以控制與存儲在第一閃存單元中的數據相關聯的誤差。

14、根據權利要求8的存儲系統，其中所述第二誤差控制方案至少實現局部讀取方法和最大似然(ML)方法之一以控制與存儲在第二閃存單元中的數據相關聯的誤差。

15、根據權利要求8的存儲系統，其中所述閃存裝置和所述存儲控制器通常實現在閃存卡上。

16、根據權利要求8的存儲系統，其中所述存儲控制器實現在終端裝置或計算機中。