[發明專利]獲得透明導電薄膜的方法

無效

• 申請號: 200810092048.4
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101276079A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: V·G·拉姆伯蒂尼;N·利皮拉;S·伯納德;V·格拉索
• 申請（專利權）人: C.R.F.阿西安尼顧問公司
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;G09F9/00;H01L21/00;H01L21/02;H01B13/00;H01B5/14;G03F7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鄒雪梅;韋欣華

1.一種獲得透明導電薄膜的方法，其特征在于該方法包括步驟：

-提供透明襯底(1)；

-在透明襯底(1)上沉積厚度不大于10μm的導電薄膜(2)；以及

-以襯底上導電薄膜(2)的多個殘留部分(2a)限定一種圖案的方式，從襯底(1)表面的多個部分除去完整厚度的導電薄膜(2)，該圖案由寬度在10nm和2μm之間的線條形成，相鄰線條的距離在10nm和2μm之間，所述圖案被預先確定，以獲得與所需光學透射率相對應的滿的空間與空的空間的比率。

2.按照權利要求1的方法，其特征在于導電薄膜部分的移除通過穿透掩模(3a；5a；31；2a)的蝕刻操作來獲得，該掩模通過選自如下的工藝而得到：納米壓印平板印刷(NIL)、微接觸印刷、聚合物自組裝過程和多孔氧化鋁的形成過程。

3.按照權利要求2的方法，其中前述的掩模通過納米壓印平板印刷工藝獲得，該方法的特征在于均勻的導電薄膜(2)最初沉積在襯底(1)的上面，聚合材料(3)施加到導電薄膜(2)上，在模具(4)上提供帶有納米切口活性表面(4a)，所述切口形成了一種圖案，該圖案與待提供給導電薄膜的圖案相對應，用壓力將所述模具(4)施加在聚合材料上以便在聚合材料上得到一系列被空格彼此隔開的聚合材料殘留部分(3a)，以導電薄膜的多個殘留部分(2a)在襯底上形成所需圖案的方式，在與前述空的空間相對應的區域進行蝕刻操作來移除至達襯底(1)表面的完整厚度的導電材料(2)。

4.按照權利要求3的方法，其特征在于模具(4)的活性表面(4a)具有根據線條排列的切口，所述線條的寬度在10nm和500nm之間，相鄰線條的距離在10nm和500nm之間，并且所述切口的深度在100nm和1000nm之間。

5.按照權利要求3的方法，其特征在于模具(4)由剛性材料制成，優選硅或石英。

6.按照權利要求3的方法，其特征在于模具由柔性材料制成，優選由聚二甲基硅氧烷(PDMS)制成。

7.按照權利要求3的方法，其特征在于聚合薄膜(3)由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或熱塑性材料制成。

8.按照權利要求7的方法，其特征在于導電薄膜(2)通過選自物理蒸氣沉積(PVD)、絲網印刷和噴墨技術的工藝進行沉積。

9.按照權利要求3的方法，其特征在于聚合材料由環氧樹脂或丙烯酸樹脂組成，并且將模具(4)施加到聚合材料上是在壓力下發生的，并且同時使用紫外光照射引發樹脂交聯。

10.按照權利要求3的方法，其特征在于模具移除后，通過等離子蝕刻或活性離子蝕刻(RIE)操作，除去一薄的聚合材料阻擋層(3b)，該聚合物阻擋層在底部封閉聚合材料的殘留部分(3a)之間的每一個空的空間。

11.按照權利要求2的方法，其特征在于該方法用來在顯示結構導電薄膜的微米子區(50)中提供納米圖案。

12.按照權利要求2的方法，其特征在于使用微接觸印刷工藝，在所述模具(4)的活性表面(4a)上提供聚合材料層(5)，從而使在壓力下將模具施加于導電層(2)上之后，該導電層(2)仍然覆蓋有被空的空間分開的聚合材料的多個部分(5a)，并且隨后在對應于所述空的空間的區域，通過蝕刻操作進行至達襯底(1)表面的完整厚度的導電層(2)的移除。

13.按照權利要求3或12的方法，其特征在于該聚合材料是一種包括金屬和/或氧化物的納米復合材料，如碳納米管、蒙脫石或海泡石的薄片，包括氧化鋁、氧化硅、碳C60的球狀物，或任何形狀的金屬顆粒。

14.按照權利要求2的方法，其特征在于該導電薄膜(2)被分塊的聚合物薄膜覆蓋，并且在分塊的所述聚合物中進行一操作來引發相分離，從而使聚合物按照預定圖案進行自組裝形成兩分離塊(31a、31b)，所述方法包括移除兩個塊(31a，31b)中的一個的進一步操作，這樣得到的空的空間用來實現通過蝕刻操作在對應于所述空的空間的區域中將完整厚度的導電材料移除。

15.按照權利要求10的方法，其特征在于通過沉積鋁層并使鋁層受陽極化操作來提供用來進行將導電層從襯底的多個部分移除操作的前述掩模(60)，以便獲得多孔氧化鋁的蜂窩結構(60)，該結構具有在底部通過阻擋層封閉的空的空間(61)，該阻擋層通過等離子蝕刻操作除去，以便產生具有穿透的空腔(61)的結構，該空腔用來在對應于前述空腔(61)的區域移除至達襯底(1)表面的完整厚度的導電材料，之后氧化鋁層(60)被移除，且通過電鍍操作增加導電層的厚度。