[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200810091997.0
• 申請日: 2004-09-22
• 公開（公告）號: CN101257001A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 磯野俊介
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/532;H01L23/58;H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1、一種半導體器件，包括：

半導體基板，

設置在上述半導體基板的上方的第一絕緣膜，

設置在上述第一絕緣膜的至少上部的布線層，

覆蓋上述布線層的上部的耐氧化性導體膜，

設置在上述第一絕緣膜及上述耐氧化性導體膜上的第二絕緣膜，

設置在上述第二絕緣膜上的第三絕緣膜，

貫穿上述第三絕緣膜及上述第二絕緣膜、達到上述耐氧化性導體膜的至少一個接觸導體部。

2、如權利要求1所述的半導體器件，

上述耐氧化性導體膜是在上述布線層的上部區域引入氮的氮引入層。

3、如權利要求1所述的半導體器件，

上述耐氧化性導體膜是氮化鈦。

4、如權利要求1所述的半導體器件，

上述布線層是第一布線層，

上述耐氧化性導體膜是設置在上述第一布線層上的第一耐氧化性導體膜，

上述接觸導體部是第一接觸導體部，還包括：

設置在上述第一絕緣膜的至少上部的第二布線層，

覆蓋上述第二布線層上部的第二耐氧化性導體膜，

貫穿上述第三絕緣膜及上述第二絕緣膜、到達上述第二耐氧化性導體膜的第二接觸導體部，

上述第一接觸導體部與上述第二接觸導體部相比，其上面的面積大。

5、如權利要求4所述的半導體器件，

上述第一接觸導體部具有矩形或帶狀的平面形狀，

上述第二接觸導體部，具有圓形或正方形的平面形狀。

6、如權利要求4所述的半導體器件，

上述第一布線層及上述第一接觸導體部，是設置成環狀的密封環。

7、如權利要求1所述的半導體器件，

在上述半導體基板內設置有元件，

上述布線層與上述元件電連接。

8、如權利要求1所述的半導體器件，

上述第二絕緣膜是含有碳的硅絕緣膜。

9、一種半導體器件的制造方法，包括以下工序：

在半導體基板的上方形成第一絕緣膜的工序(a)，

在上述第一絕緣膜的至少上部形成布線層的工序(b)，

形成覆蓋上述布線層上方的耐氧化性導體膜的工序(c)，

在上述第一絕緣膜及上述耐氧化性導體膜上形成第二絕緣膜的工序(d)，

在上述第二絕緣膜上形成第三絕緣膜的工序(e)，

將上述第三絕緣膜及上述第二絕緣膜中位于上述布線層的上方的部分，以光致抗蝕劑作為掩模除去的工序(f)，

以及除去上述光致抗蝕劑的工序(g)。

10、如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，

在上述工序(c)中，在上述布線層的上部，通過進行等離子體處理、濕式處理或離子注入引入氮，形成上述耐氧化性導體膜。

11、如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，

在上述工序(c)中，作為上述耐氧化性導體膜，在上述布線層上沉積含有氮的膜。

12、如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，

在上述工序(b)中，作為上述布線層，形成第一布線層和第二布線層，

在上述工序(c)中，在上述第一布線層及上述第二布線層上形成耐氧化性導體膜，

在上述工序(f)中，通過除去上述第三絕緣膜及上述第二絕緣膜中位于上述第一布線層上方的部分，形成溝槽狀圖形，通過除去上述第三絕緣膜及上述第二絕緣膜中位于上述第二布線層上方的部分，形成孔狀圖形。

13、如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，

在上述工序(a)之前，進一步包括在上述半導體基板內形成元件的工序(h)，

在上述工序(b)中，形成與上述元件電連接的上述布線層。